Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Uitgangssignaalfrequentie verwijst naar de snelheid waarmee een signaal verandert of oscilleert in een elektrisch of elektronisch systeem.ⓘ Uitgangssignaalfrequentie [f_o]			+10% -10%
✖Ingangsspanning is het elektrische potentiaalverschil dat wordt toegepast op de ingangsklemmen van een component of systeem.ⓘ Ingangsspanning [V_i]			+10% -10%

✖spanning-naar-frequentie-conversiefactor in IC's is een proces waarbij een ingangsspanningssignaal wordt omgezet in een overeenkomstige frequentie-uitgang.ⓘ Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's [K_v]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Formule

`"K"_{"v"} = "f"_{"o"}/"V"_{"i"}`

Voorbeeld

`"0.488889Hz/V"="1.1Hz"/"2.25V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning
K_v = f_o/V_i
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's - (Gemeten in Hertz per Volt) - spanning-naar-frequentie-conversiefactor in IC's is een proces waarbij een ingangsspanningssignaal wordt omgezet in een overeenkomstige frequentie-uitgang.
Uitgangssignaalfrequentie - (Gemeten in Hertz) - Uitgangssignaalfrequentie verwijst naar de snelheid waarmee een signaal verandert of oscilleert in een elektrisch of elektronisch systeem.
Ingangsspanning - (Gemeten in Volt) - Ingangsspanning is het elektrische potentiaalverschil dat wordt toegepast op de ingangsklemmen van een component of systeem.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Uitgangssignaalfrequentie: 1.1 Hertz --> 1.1 Hertz Geen conversie vereist
Ingangsspanning: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

K_v = f_o/V_i --> 1.1/2.25

Evalueren ... ...

K_v = 0.488888888888889

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.488888888888889 Hertz per Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.488888888888889 ≈ 0.488889 Hertz per Volt <-- Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's Formule

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning
K_v = f_o/V_i

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!