Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Trigger di Schmitt

✖La frequenza del segnale di uscita si riferisce alla velocità con cui un segnale cambia o oscilla in un sistema elettrico o elettronico.ⓘ Frequenza del segnale di uscita [f_o]			+10% -10%
✖La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.ⓘ Tensione di ingresso [V_i]			+10% -10%

✖il fattore di conversione tensione-frequenza nei circuiti integrati è un processo in cui un segnale di tensione in ingresso viene convertito in una corrispondente uscita di frequenza.ⓘ Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati [K_v]

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Formula

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Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Formula

`"K"_{"v"} = "f"_{"o"}/"V"_{"i"}`

Esempio

`"0.488889Hz/V"="1.1Hz"/"2.25V"`

Calcolatrice

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Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso
K_v = f_o/V_i
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati - (Misurato in Hertz per Volt) - il fattore di conversione tensione-frequenza nei circuiti integrati è un processo in cui un segnale di tensione in ingresso viene convertito in una corrispondente uscita di frequenza.
Frequenza del segnale di uscita - (Misurato in Hertz) - La frequenza del segnale di uscita si riferisce alla velocità con cui un segnale cambia o oscilla in un sistema elettrico o elettronico.
Tensione di ingresso - (Misurato in Volt) - La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Frequenza del segnale di uscita: 1.1 Hertz --> 1.1 Hertz Nessuna conversione richiesta
Tensione di ingresso: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

K_v = f_o/V_i --> 1.1/2.25

Valutare ... ...

K_v = 0.488888888888889

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.488888888888889 Hertz per Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.488888888888889 ≈ 0.488889 Hertz per Volt <-- Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))

Atomi di impurità per unità di area

Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))

Conduttività di tipo P

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)

Conduttività di tipo N

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Corrente di collettore del transistor PNP

Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base

Conduttività ohmica delle impurità

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)

Corrente di saturazione nel transistor

Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate

Resistenza del foglio dello strato

Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)

Buco di densità di corrente

Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)

Efficienza di iniezione dell'emettitore

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)

Resistenza dello strato diffuso

Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente che scorre nel diodo Zener

Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati Formula

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso
K_v = f_o/V_i

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