Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe
Kv = fo/Vi
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych - (Mierzone w Herc na wolt) - Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych to proces, w którym sygnał napięcia wejściowego jest przekształcany na wyjściową częstotliwość o odpowiedniej częstotliwości.
Częstotliwość sygnału wyjściowego - (Mierzone w Herc) - Częstotliwość sygnału wyjściowego odnosi się do szybkości, z jaką sygnał zmienia się lub oscyluje w systemie elektrycznym lub elektronicznym.
Napięcie wejściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wejściowe to różnica potencjałów elektrycznych przyłożona do zacisków wejściowych komponentu lub systemu.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Częstotliwość sygnału wyjściowego: 1.1 Herc --> 1.1 Herc Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wejściowe: 2.25 Wolt --> 2.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
Kv = fo/Vi --> 1.1/2.25
Ocenianie ... ...
Kv = 0.488888888888889
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.488888888888889 Herc na wolt --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.488888888888889 0.488889 Herc na wolt <-- Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez banuprakasz
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Santhosh Yadav
Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

19 Produkcja bipolarnych układów scalonych Kalkulatory

Opór równoległościanu prostokątnego
​ Iść Opór = ((Oporność*Grubość warstwy)/(Szerokość rozproszonej warstwy*Długość warstwy rozproszonej))*(ln(Szerokość dolnego prostokąta/Długość dolnego prostokąta)/(Szerokość dolnego prostokąta-Długość dolnego prostokąta))
Atomy zanieczyszczeń na jednostkę powierzchni
​ Iść Całkowita nieczystość = Efektywna dyfuzja*(Obszar połączenia podstawy emitera*((Opłata*Wewnętrzna koncentracja^2)/Prąd kolektora)*exp(Emiter podstawy napięcia/Napięcie termiczne))
Przewodność typu N
​ Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N+Hole Doping Mobilność krzemu*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu N))
Przewodność typu P
​ Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*(Wewnętrzna koncentracja^2/Stężenie równowagowe typu P)+Hole Doping Mobilność krzemu*Stężenie równowagowe typu P)
Pojemność źródła bramki Biorąc pod uwagę pojemność nakładania się
​ Iść Pojemność źródła bramki = (2/3*Szerokość tranzystora*Długość tranzystora*Pojemność tlenkowa)+(Szerokość tranzystora*Pojemność nakładania)
Przewodność omowa zanieczyszczeń
​ Iść Przewodność omowa = Opłata*(Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie elektronów+Hole Doping Mobilność krzemu*Zagęszczenie dziur)
Prąd kolektora tranzystora PNP
​ Iść Prąd kolektora = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Stężenie równowagowe typu N*Stała dyfuzji dla PNP)/Szerokość podstawy
Prąd nasycenia w tranzystorze
​ Iść Prąd nasycenia = (Opłata*Obszar połączenia podstawy emitera*Efektywna dyfuzja*Wewnętrzna koncentracja^2)/Całkowita nieczystość
Pobór mocy obciążenia pojemnościowego przy danym napięciu zasilania
​ Iść Pobór mocy obciążenia pojemnościowego = Pojemność obciążenia*Napięcie zasilania^2*Częstotliwość sygnału wyjściowego*Całkowita liczba przełączanych wyjść
Opór arkusza warstwy
​ Iść Odporność arkusza = 1/(Opłata*Mobilność krzemu z domieszką elektronów*Stężenie równowagowe typu N*Grubość warstwy)
Opór warstwy rozproszonej
​ Iść Opór = (1/Przewodność omowa)*(Długość warstwy rozproszonej/(Szerokość rozproszonej warstwy*Grubość warstwy))
Zanieczyszczenie o wewnętrznym stężeniu
​ Iść Wewnętrzna koncentracja = sqrt((Stężenie elektronów*Zagęszczenie dziur)/Zanieczyszczenie temperaturowe)
Dziura gęstości prądu
​ Iść Gęstość prądu otworu = Opłata*Stała dyfuzji dla PNP*(Stężenie równowagi w otworze/Szerokość podstawy)
Napięcie przebicia emitera kolektora
​ Iść Napięcie przebicia emitera kolektora = Napięcie przebicia podstawy kolektora/(Obecny zysk BJT)^(1/Numer główny)
Wydajność wtrysku emitera
​ Iść Wydajność wtrysku emitera = Prąd emitera/(Prąd emitera powodowany przez elektrony+Prąd emitera z powodu dziur)
Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych
​ Iść Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe
Wydajność wtrysku emitera przy danych stałych domieszkowania
​ Iść Wydajność wtrysku emitera = Doping po stronie N/(Doping po stronie N+Doping po stronie P)
Prąd płynący w diodzie Zenera
​ Iść Prąd diody = (Wejściowe napięcie odniesienia-Stabilne napięcie wyjściowe)/Opór Zenera
Podstawowy współczynnik transportu przy danej szerokości podstawowej
​ Iść Podstawowy współczynnik transportu = 1-(1/2*(Szerokość fizyczna/Długość dyfuzji elektronów)^2)

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych Formułę

Współczynnik konwersji napięcia na częstotliwość w układach scalonych = Częstotliwość sygnału wyjściowego/Napięcie wejściowe
Kv = fo/Vi
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!