Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs Taschenrechner

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✖Die Ausgangssignalfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der sich ein Signal in einem elektrischen oder elektronischen System ändert oder schwingt.ⓘ Ausgangssignalfrequenz [f_o]			+10% -10%
✖Die Eingangsspannung ist die elektrische Potenzialdifferenz, die an den Eingangsanschlüssen einer Komponente oder eines Systems anliegt.ⓘ Eingangsspannung [V_i]			+10% -10%

✖Der Spannungs-Frequenz-Umrechnungsfaktor in ICs ist ein Prozess, bei dem ein Eingangsspannungssignal in eine entsprechende Frequenzausgabe umgewandelt wird.ⓘ Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs [K_v]

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Formel

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Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Formel

`"K"_{"v"} = "f"_{"o"}/"V"_{"i"}`

Beispiel

`"0.488889Hz/V"="1.1Hz"/"2.25V"`

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Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung
K_v = f_o/V_i
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs - (Gemessen in Hertz pro Volt) - Der Spannungs-Frequenz-Umrechnungsfaktor in ICs ist ein Prozess, bei dem ein Eingangsspannungssignal in eine entsprechende Frequenzausgabe umgewandelt wird.
Ausgangssignalfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Ausgangssignalfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der sich ein Signal in einem elektrischen oder elektronischen System ändert oder schwingt.
Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsspannung ist die elektrische Potenzialdifferenz, die an den Eingangsanschlüssen einer Komponente oder eines Systems anliegt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ausgangssignalfrequenz: 1.1 Hertz --> 1.1 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Eingangsspannung: 2.25 Volt --> 2.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

K_v = f_o/V_i --> 1.1/2.25

Auswerten ... ...

K_v = 0.488888888888889

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.488888888888889 Hertz pro Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.488888888888889 ≈ 0.488889 Hertz pro Volt <-- Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs Formel

Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung
K_v = f_o/V_i

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