Atténuation du circuit RC Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée
α = Vb/Vi
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Atténuation - L'atténuation est la perte ou la réduction de l'amplitude ou de la force d'un signal lorsqu'il traverse un circuit ou un système.
Tension de base - (Mesuré en Volt) - La tension de base est la différence de tension entre la borne de base et la borne de l'émetteur. C'est l'une des trois tensions aux bornes d'un BJT, avec la tension du collecteur et la tension de l'émetteur.
Tension d'entrée - (Mesuré en Volt) - La tension d'entrée est la tension appliquée à la borne de base. C'est la différence de tension entre la borne de base et la borne de l'émetteur du transistor.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Tension de base: 7.3 Volt --> 7.3 Volt Aucune conversion requise
Tension d'entrée: 2.1 Volt --> 2.1 Volt Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
α = Vb/Vi --> 7.3/2.1
Évaluer ... ...
α = 3.47619047619048
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
3.47619047619048 --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
3.47619047619048 3.47619 <-- Atténuation
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Suma Madhuri
Université VIT (VIT), Chennai
Suma Madhuri a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Ritwik Tripathi
Institut de technologie de Vellore (VIT Velloré), Vellore
Ritwik Tripathi a validé cette calculatrice et 100+ autres calculatrices!

15 Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Conductance du canal des MOSFET
​ Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*(Largeur de canal/Longueur du canal)*Tension aux bornes de l'oxyde
Fréquence de transition du MOSFET
​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))
Amplitude de la charge électronique dans le canal du MOSFET
​ Aller Charge d'électrons dans le canal = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal*Tension efficace
Déphasage dans le circuit RC de sortie
​ Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/(Résistance+Résistance à la charge))
Fréquence critique inférieure du Mosfet
​ Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*(Résistance+Résistance d'entrée)*Capacitance)
Sortie Miller Capacité Mosfet
​ Aller Capacité de sortie Miller = Capacité de vidange de porte*((Gain de tension+1)/Gain de tension)
Largeur du canal porte à source du MOSFET
​ Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)
Capacité de chevauchement du MOSFET
​ Aller Capacité de chevauchement = Largeur de canal*Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement
Capacité totale entre la porte et le canal des MOSFET
​ Aller Capacité du canal de porte = Capacité d'oxyde*Largeur de canal*Longueur du canal
Fréquence critique dans le circuit RC d'entrée haute fréquence
​ Aller Fréquence de coin = 1/(2*pi*Résistance d'entrée*Capacité de Miller)
Déphasage dans le circuit RC d'entrée
​ Aller Déphasage = arctan(Réactance capacitive/Résistance d'entrée)
Réactance capacitive du Mosfet
​ Aller Réactance capacitive = 1/(2*pi*Fréquence*Capacitance)
Capacité Miller du Mosfet
​ Aller Capacité de Miller = Capacité de vidange de porte*(Gain de tension+1)
Fréquence critique du Mosfet
​ Aller Fréquence critique en décibels = 10*log10(Fréquence critique)
Atténuation du circuit RC
​ Aller Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée

Atténuation du circuit RC Formule

Atténuation = Tension de base/Tension d'entrée
α = Vb/Vi
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!