Atenuación del circuito RC Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Atenuación = Voltaje básico/Voltaje de entrada
α = Vb/Vi
Esta fórmula usa 3 Variables
Variables utilizadas
Atenuación - La atenuación es la pérdida o reducción de la amplitud o intensidad de una señal a medida que pasa a través de un circuito o sistema.
Voltaje básico - (Medido en Voltio) - Voltaje base es la diferencia de voltaje entre el terminal base y el terminal emisor. Es uno de los tres voltajes terminales de un BJT, junto con el voltaje del colector y el voltaje del emisor.
Voltaje de entrada - (Medido en Voltio) - El voltaje de entrada es el voltaje aplicado al terminal base. Es la diferencia de voltaje entre el terminal base y el terminal emisor del transistor.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Voltaje básico: 7.3 Voltio --> 7.3 Voltio No se requiere conversión
Voltaje de entrada: 2.1 Voltio --> 2.1 Voltio No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
α = Vb/Vi --> 7.3/2.1
Evaluar ... ...
α = 3.47619047619048
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
3.47619047619048 --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
3.47619047619048 3.47619 <-- Atenuación
(Cálculo completado en 00.004 segundos)

Créditos

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Creado por Suma Madhuri
Universidad VIT (VIT), Chennai
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Verificada por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnología de Vellore (VIT Vellore), Vellore
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15 Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Conductancia del canal de MOSFET
​ Vamos Conductancia del canal = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*(Ancho de banda/Longitud del canal)*Voltaje a través de óxido
Frecuencia de transición de MOSFET
​ Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia de puerta de fuente+Capacitancia de drenaje de puerta))
Magnitud de carga de electrones en el canal de MOSFET
​ Vamos Carga de electrones en el canal = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal*Voltaje efectivo
Cambio de fase en el circuito RC de salida
​ Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/(Resistencia+Resistencia de carga))
Mosfet de capacitancia Miller de salida
​ Vamos Capacitancia Miller de salida = Capacitancia de drenaje de puerta*((Ganancia de voltaje+1)/Ganancia de voltaje)
Menor frecuencia crítica de Mosfet
​ Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*(Resistencia+Resistencia de entrada)*Capacidad)
Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET
​ Vamos Ancho de banda = Capacitancia de superposición/(Capacitancia de óxido*Longitud de superposición)
Capacitancia de superposición de MOSFET
​ Vamos Capacitancia de superposición = Ancho de banda*Capacitancia de óxido*Longitud de superposición
Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET
​ Vamos Capacitancia del canal de puerta = Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Longitud del canal
Frecuencia crítica en el circuito RC de entrada de alta frecuencia
​ Vamos Frecuencia de esquina = 1/(2*pi*Resistencia de entrada*Capacitancia de Miller)
Cambio de fase en el circuito RC de entrada
​ Vamos Cambio de fase = arctan(Reactancia capacitiva/Resistencia de entrada)
Reactancia capacitiva de Mosfet
​ Vamos Reactancia capacitiva = 1/(2*pi*Frecuencia*Capacidad)
Capacitancia Miller de Mosfet
​ Vamos Capacitancia de Miller = Capacitancia de drenaje de puerta*(Ganancia de voltaje+1)
Frecuencia crítica de Mosfet
​ Vamos Frecuencia crítica en decibles = 10*log10(Frecuencia crítica)
Atenuación del circuito RC
​ Vamos Atenuación = Voltaje básico/Voltaje de entrada

Atenuación del circuito RC Fórmula

Atenuación = Voltaje básico/Voltaje de entrada
α = Vb/Vi
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