Tłumienie obwodu RC Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Osłabienie = Napięcie podstawowe/Napięcie wejściowe
α = Vb/Vi
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Osłabienie - Tłumienie to utrata lub zmniejszenie amplitudy lub siły sygnału przechodzącego przez obwód lub system.
Napięcie podstawowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bazowe to różnica napięcia między zaciskiem bazy a zaciskiem emitera. Jest to jedno z trzech napięć końcowych BJT, obok napięcia kolektora i napięcia emitera.
Napięcie wejściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wejściowe to napięcie przyłożone do zacisku podstawowego. Jest to różnica napięcia pomiędzy końcówką bazy a końcówką emitera tranzystora.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Napięcie podstawowe: 7.3 Wolt --> 7.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie wejściowe: 2.1 Wolt --> 2.1 Wolt Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
α = Vb/Vi --> 7.3/2.1
Ocenianie ... ...
α = 3.47619047619048
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
3.47619047619048 --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
3.47619047619048 3.47619 <-- Osłabienie
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Suma Madhuri
Uniwersytet VIT (WIT), Chennai
Suma Madhuri utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Ritwik Tripathi
Vellore Instytut Technologiczny (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi zweryfikował ten kalkulator i 100+ więcej kalkulatorów!

15 Wewnętrzne efekty pojemnościowe i model wysokiej częstotliwości Kalkulatory

Przewodnictwo kanału tranzystorów MOSFET
​ Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*(Szerokość kanału/Długość kanału)*Napięcie na tlenku
Częstotliwość przejścia MOSFET
​ Iść Częstotliwość przejścia = Transkonduktancja/(2*pi*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
Wielkość ładunku elektronowego w kanale MOSFET
​ Iść Ładunek elektronowy w kanale = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału*Efektywne napięcie
Przesunięcie fazowe w wyjściowym obwodzie RC
​ Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/(Opór+Odporność na obciążenie))
Niższa częstotliwość krytyczna Mosfeta
​ Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*(Opór+Rezystancja wejściowa)*Pojemność)
Wyjściowa pojemność Millera Mosfet
​ Iść Wyjściowa pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*((Wzmocnienie napięcia+1)/Wzmocnienie napięcia)
Szerokość kanału bramki do źródła MOSFET
​ Iść Szerokość kanału = Pojemność nakładania się/(Pojemność tlenkowa*Długość zakładki)
Całkowita pojemność między bramką a kanałem tranzystorów MOSFET
​ Iść Pojemność kanału bramkowego = Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Długość kanału
Pokrywająca się pojemność MOSFET-u
​ Iść Pojemność nakładania się = Szerokość kanału*Pojemność tlenkowa*Długość zakładki
Przesunięcie fazowe w obwodzie wejściowym RC
​ Iść Przesunięcie fazowe = arctan(Reaktancja pojemnościowa/Rezystancja wejściowa)
Częstotliwość krytyczna w obwodzie wejściowym RC wysokiej częstotliwości
​ Iść Częstotliwość narożna = 1/(2*pi*Rezystancja wejściowa*Pojemność Millera)
Reaktancja pojemnościowa Mosfeta
​ Iść Reaktancja pojemnościowa = 1/(2*pi*Częstotliwość*Pojemność)
Częstotliwość krytyczna Mosfeta
​ Iść Częstotliwość krytyczna w decyblach = 10*log10(Częstotliwość krytyczna)
Pojemność Millera Mosfeta
​ Iść Pojemność Millera = Pojemność bramowo-drenowa*(Wzmocnienie napięcia+1)
Tłumienie obwodu RC
​ Iść Osłabienie = Napięcie podstawowe/Napięcie wejściowe

Tłumienie obwodu RC Formułę

Osłabienie = Napięcie podstawowe/Napięcie wejściowe
α = Vb/Vi
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!