Attenuazione del circuito RC Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso
α = Vb/Vi
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Attenuazione - L'attenuazione è la perdita o riduzione dell'ampiezza o della forza di un segnale mentre passa attraverso un circuito o sistema.
Tensione di base - (Misurato in Volt) - La tensione di base è la differenza di tensione tra il terminale di base e il terminale dell'emettitore. È una delle tre tensioni terminali di un BJT, insieme alla tensione del collettore e alla tensione dell'emettitore.
Tensione di ingresso - (Misurato in Volt) - La tensione di ingresso è la tensione applicata al terminale di base. È la differenza di tensione tra il terminale di base e il terminale di emettitore del transistor.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tensione di base: 7.3 Volt --> 7.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di ingresso: 2.1 Volt --> 2.1 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
α = Vb/Vi --> 7.3/2.1
Valutare ... ...
α = 3.47619047619048
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
3.47619047619048 --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
3.47619047619048 3.47619 <-- Attenuazione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Suma Madhuri
Università VIT (VIT), Chennai
Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Ritwik Tripati
Vellore Institute of Technology (VITVellore), Vellore
Ritwik Tripati ha verificato questa calcolatrice e altre 100+ altre calcolatrici!

15 Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Conduttanza del canale dei MOSFET
​ Partire Conduttanza del canale = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*Tensione attraverso l'ossido
Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET
​ Partire Carica elettronica nel canale = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva
Frequenza di transizione del MOSFET
​ Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità del gate della sorgente+Capacità di gate-drain))
Frequenza critica inferiore del Mosfet
​ Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*(Resistenza+Resistenza in ingresso)*Capacità)
Sfasamento nel circuito RC di uscita
​ Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/(Resistenza+Resistenza al carico))
Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET
​ Partire Larghezza del canale = Capacità di sovrapposizione/(Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione)
Capacità di sovrapposizione del MOSFET
​ Partire Capacità di sovrapposizione = Larghezza del canale*Capacità dell'ossido*Lunghezza di sovrapposizione
Mosfet di capacità Miller di uscita
​ Partire Capacità Miller di uscita = Capacità di gate-drain*((Guadagno di tensione+1)/Guadagno di tensione)
Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET
​ Partire Capacità del canale di gate = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale
Frequenza critica nel circuito RC di ingresso ad alta frequenza
​ Partire Frequenza d'angolo = 1/(2*pi*Resistenza in ingresso*Capacità di Miller)
Sfasamento nel circuito RC di ingresso
​ Partire Sfasamento = arctan(Reattanza capacitiva/Resistenza in ingresso)
Reattanza capacitiva del Mosfet
​ Partire Reattanza capacitiva = 1/(2*pi*Frequenza*Capacità)
Capacità Miller del Mosfet
​ Partire Capacità di Miller = Capacità di gate-drain*(Guadagno di tensione+1)
Frequenza critica del Mosfet
​ Partire Frequenza critica in decible = 10*log10(Frequenza critica)
Attenuazione del circuito RC
​ Partire Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso

Attenuazione del circuito RC Formula

Attenuazione = Tensione di base/Tensione di ingresso
α = Vb/Vi
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