Verzwakking van RC-circuit Rekenmachine

✖Basisspanning is het spanningsverschil tussen de basisterminal en de emitterterminal. Het is een van de drie klemspanningen van een BJT, samen met de collectorspanning en de emitterspanning.ⓘ Basisspanning [V_b]			+10% -10%
✖De ingangsspanning is de spanning die wordt toegepast op de basisterminal. Het is het spanningsverschil tussen de basisterminal en de emitterterminal van de transistor.ⓘ Ingangsspanning [V_i]			+10% -10%

✖Verzwakking is het verlies of de vermindering van de amplitude of sterkte van een signaal terwijl het door een circuit of systeem gaat.ⓘ Verzwakking van RC-circuit [α]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Verzwakking van RC-circuit

Formule

`"α" = "V"_{"b"}/"V"_{"i"}`

Voorbeeld

`"3.47619"="7.3V"/"2.1V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Verzwakking van RC-circuit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzwakking = Basisspanning/Ingangsspanning
α = V_b/V_i
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Verzwakking - Verzwakking is het verlies of de vermindering van de amplitude of sterkte van een signaal terwijl het door een circuit of systeem gaat.
Basisspanning - (Gemeten in Volt) - Basisspanning is het spanningsverschil tussen de basisterminal en de emitterterminal. Het is een van de drie klemspanningen van een BJT, samen met de collectorspanning en de emitterspanning.
Ingangsspanning - (Gemeten in Volt) - De ingangsspanning is de spanning die wordt toegepast op de basisterminal. Het is het spanningsverschil tussen de basisterminal en de emitterterminal van de transistor.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Basisspanning: 7.3 Volt --> 7.3 Volt Geen conversie vereist
Ingangsspanning: 2.1 Volt --> 2.1 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

α = V_b/V_i --> 7.3/2.1

Evalueren ... ...

α = 3.47619047619048

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

3.47619047619048 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

3.47619047619048 ≈ 3.47619 <-- Verzwakking

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Verzwakking van RC-circuit

Credits

Gemaakt door Suma Madhuri

VIT Universiteit (VIT), Chennai

Suma Madhuri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Ritwik Tripathi

Vellore Instituut voor Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 100+ rekenmachines!

< 15 Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET's

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*(Kanaalbreedte/Kanaallengte)*Spanning over Oxide

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Omvang van elektronenlading in kanaal van MOSFET

Gaan Elektronenlading in kanaal = Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte*Kanaallengte*Effectieve spanning

Faseverschuiving in uitgangs-RC-circuit

Gaan Faseverschuiving = arctan(Capacitieve reactantie/(Weerstand+Belastingsweerstand))

Lagere kritische frequentie van Mosfet

Gaan Hoekfrequentie = 1/(2*pi*(Weerstand+Ingangsweerstand)*Capaciteit)

Uitgang Miller-capaciteit Mosfet

Gaan Uitgang Miller-capaciteit = Gate-drain-capaciteit*((Spanningsversterking+1)/Spanningsversterking)

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)