Ослабление RC-цепи Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Затухание = Базовое напряжение/Входное напряжение
α = Vb/Vi
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Затухание - Затухание — это потеря или уменьшение амплитуды или силы сигнала при его прохождении через цепь или систему.
Базовое напряжение - (Измеряется в вольт) - Базовое напряжение — это разница напряжений между клеммой базы и клеммой эмиттера. Это одно из трех оконечных напряжений биполярного транзистора, наряду с напряжением коллектора и напряжением эмиттера.
Входное напряжение - (Измеряется в вольт) - Входное напряжение — это напряжение, приложенное к базовой клемме. Это разница напряжений между выводом базы и выводом эмиттера транзистора.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Базовое напряжение: 7.3 вольт --> 7.3 вольт Конверсия не требуется
Входное напряжение: 2.1 вольт --> 2.1 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
α = Vb/Vi --> 7.3/2.1
Оценка ... ...
α = 3.47619047619048
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
3.47619047619048 --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
3.47619047619048 3.47619 <-- Затухание
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Сума Мадхури
Университет ВИТ (ВИТ), Ченнаи
Сума Мадхури создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Ритвик Трипати
Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор
Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

15 Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзисторов
​ Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*(ширина канала/Длина канала)*Напряжение на оксиде
Фазовый сдвиг в выходной RC-цепи
​ Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/(Сопротивление+Сопротивление нагрузки))
Величина электронного заряда в канале MOSFET
​ Идти Заряд электрона в канале = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение
Частота перехода MOSFET
​ Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Нижняя критическая частота МОП-транзистора
​ Идти Угловая частота = 1/(2*pi*(Сопротивление+Входное сопротивление)*Емкость)
Выходная емкость МОП-транзистора Миллера
​ Идти Выходная емкость Миллера = Емкость затвор-сток*((Усиление напряжения+1)/Усиление напряжения)
Фазовый сдвиг во входной RC-цепи
​ Идти Сдвиг фазы = arctan(Емкостное реактивное сопротивление/Входное сопротивление)
Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET
​ Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)
Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET
​ Идти Емкость канала затвора = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала
Емкость перекрытия MOSFET
​ Идти Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия
Критическая частота в RC-цепи высокочастотного входа
​ Идти Угловая частота = 1/(2*pi*Входное сопротивление*Емкость Миллера)
Емкостное реактивное сопротивление МОП-транзистора
​ Идти Емкостное реактивное сопротивление = 1/(2*pi*Частота*Емкость)
Критическая частота Мосфета
​ Идти Критическая частота в дециблях = 10*log10(Критическая частота)
Миллер Емкость МОП-транзистора
​ Идти Емкость Миллера = Емкость затвор-сток*(Усиление напряжения+1)
Ослабление RC-цепи
​ Идти Затухание = Базовое напряжение/Входное напряжение

Ослабление RC-цепи формула

Затухание = Базовое напряжение/Входное напряжение
α = Vb/Vi
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!