Atenuação do Circuito RC Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada
α = Vb/Vi
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Atenuação - Atenuação é a perda ou redução na amplitude ou força de um sinal à medida que ele passa por um circuito ou sistema.
Tensão Base - (Medido em Volt) - Tensão Base é a diferença de tensão entre o terminal base e o terminal emissor. É uma das três tensões terminais de um BJT, junto com a tensão do coletor e a tensão do emissor.
Tensão de entrada - (Medido em Volt) - A tensão de entrada é a tensão aplicada ao terminal de base. É a diferença de tensão entre o terminal base e o terminal emissor do transistor.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Base: 7.3 Volt --> 7.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de entrada: 2.1 Volt --> 2.1 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
α = Vb/Vi --> 7.3/2.1
Avaliando ... ...
α = 3.47619047619048
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
3.47619047619048 --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
3.47619047619048 3.47619 <-- Atenuação
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por Suma Madhuri
Universidade VIT (VITA), Chennai
Suma Madhuri criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Verificado por Ritwik Tripathi
Instituto de Tecnologia de Vellore (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi verificou esta calculadora e mais 100+ calculadoras!

15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Condutância do Canal de MOSFETs
​ Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido
Frequência de Transição do MOSFET
​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET
​ Vai Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva
Frequência crítica mais baixa do Mosfet
​ Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*(Resistência+Resistência de entrada)*Capacitância)
Mudança de fase no circuito RC de saída
​ Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal
Saída Miller Capacitância Mosfet
​ Vai Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)
Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência
​ Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*Resistência de entrada*Capacitância de Miller)
Mudança de fase no circuito RC de entrada
​ Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/Resistência de entrada)
Reatância capacitiva do Mosfet
​ Vai Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)
Capacitância de Miller do Mosfet
​ Vai Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)
Frequência Crítica do Mosfet
​ Vai Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)
Atenuação do Circuito RC
​ Vai Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada

Atenuação do Circuito RC Fórmula

Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada
α = Vb/Vi
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