Dämpfung des RC-Schaltkreises Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung
α = Vb/Vi
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Dämpfung - Unter Dämpfung versteht man den Verlust oder die Verringerung der Amplitude oder Stärke eines Signals beim Durchgang durch einen Stromkreis oder ein System.
Basisspannung - (Gemessen in Volt) - Die Basisspannung ist die Spannungsdifferenz zwischen dem Basisanschluss und dem Emitteranschluss. Sie ist neben der Kollektorspannung und der Emitterspannung eine der drei Anschlussspannungen eines BJT.
Eingangsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Eingangsspannung ist die am Basisanschluss angelegte Spannung. Es handelt sich um die Spannungsdifferenz zwischen dem Basisanschluss und dem Emitteranschluss des Transistors.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Basisspannung: 7.3 Volt --> 7.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Eingangsspannung: 2.1 Volt --> 2.1 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
α = Vb/Vi --> 7.3/2.1
Auswerten ... ...
α = 3.47619047619048
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.47619047619048 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3.47619047619048 3.47619 <-- Dämpfung
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Suma Madhuri
VIT-Universität (VIT), Chennai
Suma Madhuri hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Ritwik Tripathi
Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore
Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 100+ weitere Rechner verifiziert!

15 Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Leitwert des Kanals von MOSFETs
​ Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*(Kanalbreite/Kanallänge)*Spannung über Oxid
Größe der Elektronenladung im Kanal des MOSFET
​ Gehen Elektronenladung im Kanal = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge*Effektive Spannung
Übergangsfrequenz des MOSFET
​ Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))
Phasenverschiebung im Ausgangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/(Widerstand+Lastwiderstand))
Untere kritische Frequenz des Mosfet
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*(Widerstand+Eingangswiderstand)*Kapazität)
Ausgangs-Miller-Kapazitäts-MOSFET
​ Gehen Ausgangs-Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*((Spannungsverstärkung+1)/Spannungsverstärkung)
Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET
​ Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)
Phasenverschiebung im Eingangs-RC-Schaltkreis
​ Gehen Phasenverschiebung = arctan(Kapazitive Reaktanz/Eingangswiderstand)
Überlappungskapazität des MOSFET
​ Gehen Überlappungskapazität = Kanalbreite*Oxidkapazität*Überlappungslänge
Kritische Frequenz im RC-Schaltkreis mit Hochfrequenzeingang
​ Gehen Eckfrequenz = 1/(2*pi*Eingangswiderstand*Miller-Kapazität)
Gesamtkapazität zwischen Gate und Kanal von MOSFETs
​ Gehen Gate-Kanalkapazität = Oxidkapazität*Kanalbreite*Kanallänge
Kapazitive Reaktanz von Mosfet
​ Gehen Kapazitive Reaktanz = 1/(2*pi*Frequenz*Kapazität)
Miller-Kapazität von Mosfet
​ Gehen Miller-Kapazität = Gate-Drain-Kapazität*(Spannungsverstärkung+1)
Kritische Frequenz von Mosfet
​ Gehen Kritische Frequenz in Dezibel = 10*log10(Kritische Frequenz)
Dämpfung des RC-Schaltkreises
​ Gehen Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung

Dämpfung des RC-Schaltkreises Formel

Dämpfung = Basisspannung/Eingangsspannung
α = Vb/Vi
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