Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur
IB = (1-α)*Ie
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Courant de base - (Mesuré en Ampère) - Le courant de base est un courant crucial du transistor à jonction bipolaire. Sans le courant de base, le transistor ne peut pas s'allumer.
Gain de courant de base commune - Le gain de courant de base commune α est lié au gain de courant de l'émetteur commun β et sa valeur est inférieure à 1 car le courant de collecteur est toujours inférieur au courant d'émetteur en raison de la recombinaison des électrons.
Courant de l'émetteur - (Mesuré en Ampère) - Le courant d'émetteur est le courant de sortie amplifié d'un transistor à jonction bipolaire.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Gain de courant de base commune: 0.985 --> Aucune conversion requise
Courant de l'émetteur: 5.077 Milliampère --> 0.005077 Ampère (Vérifiez la conversion ​ici)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
IB = (1-α)*Ie --> (1-0.985)*0.005077
Évaluer ... ...
IB = 7.61550000000001E-05
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
7.61550000000001E-05 Ampère -->0.0761550000000001 Milliampère (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
0.0761550000000001 0.076155 Milliampère <-- Courant de base
(Calcul effectué en 00.020 secondes)

Crédits

Creator Image
Créé par Payal Priya
Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri
Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!
Verifier Image
Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

14 Courant de base Calculatrices

Courant de saturation utilisant la concentration de dopage
​ Aller Courant de saturation = (Zone de section transversale de la jonction base-émetteur*[Charge-e]*Diffusivité électronique*(Concentration de transporteur intrinsèque)^2)/(Largeur de la jonction de base*Concentration de dopage de la base)
Courant de base utilisant le courant de saturation en courant continu
​ Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)+Pression de vapeur saturante*e^(Tension base-collecteur/Tension thermique)
Gain de courant de court-circuit de BJT
​ Aller Gain de courant de court-circuit = (Gain de courant de l'émetteur commun à basse fréquence)/(1+Variable de fréquence complexe*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)*Résistance d'entrée)
Courant de drain donné Paramètre de l'appareil
​ Aller Courant de vidange = 1/2*Transconductance*Ratio d'aspect*(Tension efficace-Tension de seuil)^2*(1+Paramètre de l'appareil*Tension entre drain et source)
Courant de base 2 de BJT
​ Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*(e^(Tension base-émetteur/Tension thermique))
Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation
​ Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
Courant de référence du miroir BJT
​ Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de référence du miroir de courant BJT
​ Aller Courant de référence = (Tension d'alimentation-Tension base-émetteur)/Résistance
Courant de référence du miroir BJT donné Courant de collecteur
​ Aller Courant de référence = Courant de collecteur*(1+2/Gain de courant de l'émetteur commun)
Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur
​ Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur
​ Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de base 1 de BJT
​ Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun
​ Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur
Courant de base total
​ Aller Courant de base = Courant de base 1+Courant de base 2

20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation
​ Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)
Fréquence de transition du BJT
​ Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))
Puissance totale dissipée en BJT
​ Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base
Bande passante à gain unitaire de BJT
​ Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)
Courant de référence du miroir BJT
​ Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun
Mode commun Taux de réjection
​ Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)
Résistance de sortie de BJT
​ Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur
Tension de sortie de l'amplificateur BJT
​ Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge
Gain de courant de base commune
​ Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire
​ Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base
Puissance totale fournie en BJT
​ Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)
Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur
​ Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)
Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur
​ Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur
Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur
​ Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun
Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun
​ Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur
Tension du collecteur à l'émetteur à saturation
​ Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur
Courant de collecteur de BJT
​ Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base
Courant d'émetteur de BJT
​ Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base
Transconductance de court-circuit
​ Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée
Gain intrinsèque de BJT
​ Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun Formule

Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur
IB = (1-α)*Ie

Qu'est-ce que le transistor PNP?

Le transistor dans lequel un matériau de type n est dopé avec deux matériaux de type p de ce type de transistor est appelé transistor PNP. Le transistor PNP s'allume lorsqu'un petit courant traverse la base. Le sens du courant dans le transistor PNP va de l'émetteur au collecteur.

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