Fréquence de transition du BJT Calculatrice

✖La transconductance est le rapport de la variation du courant à la borne de sortie à la variation de la tension à la borne d'entrée d'un dispositif actif.ⓘ Transconductance [G_m]			+10% -10%
✖La capacité émetteur-base est la capacité entre l'émetteur et la base.ⓘ Capacité émetteur-base [C_eb]			+10% -10%
✖La capacité de jonction collecteur-base en mode actif est polarisée en inverse et correspond à la capacité entre le collecteur et la base.ⓘ Capacité de jonction collecteur-base [C_cb]			+10% -10%

✖La Fréquence de Transition associée à la transition (1 vers 2 ou 2 vers 1) entre deux niveaux vibratoires différents.ⓘ Fréquence de transition du BJT [f_t]

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Formule

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Fréquence de transition du BJT

Formule

`"f"_{"t"} = "G"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"}))`

Exemple

`"101.3876Hz"="1.72mS"/(2*pi*("1.5μF"+"1.2μF"))`

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Fréquence de transition du BJT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))
Cette formule utilise 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilisées

pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilisées

Fréquence de transition - (Mesuré en Hertz) - La Fréquence de Transition associée à la transition (1 vers 2 ou 2 vers 1) entre deux niveaux vibratoires différents.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est le rapport de la variation du courant à la borne de sortie à la variation de la tension à la borne d'entrée d'un dispositif actif.
Capacité émetteur-base - (Mesuré en Farad) - La capacité émetteur-base est la capacité entre l'émetteur et la base.
Capacité de jonction collecteur-base - (Mesuré en Farad) - La capacité de jonction collecteur-base en mode actif est polarisée en inverse et correspond à la capacité entre le collecteur et la base.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Transconductance: 1.72 millisiemens --> 0.00172 Siemens (Vérifiez la conversion ici)
Capacité émetteur-base: 1.5 microfarades --> 1.5E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Capacité de jonction collecteur-base: 1.2 microfarades --> 1.2E-06 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb)) --> 0.00172/(2*pi*(1.5E-06+1.2E-06))

Évaluer ... ...

f_t = 101.387593377059

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

101.387593377059 Hertz --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

101.387593377059 ≈ 101.3876 Hertz <-- Fréquence de transition

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » BJT » Électronique analogique » Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence » Fréquence de transition du BJT

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Anshika Arya

Institut national de technologie (LENTE), Hamirpur

Anshika Arya a validé cette calculatrice et 2500+ autres calculatrices!

< 10+ Effets capacitifs internes et modèle haute fréquence Calculatrices

Capacité de jonction collecteur-base

Aller Capacité de jonction collecteur-base = Capacité de jonction collecteur-base à 0 tension/(1+(Tension de polarisation inverse/Tension intégrée))^Coefficient de classement

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Concentration d'électrons injectés de l'émetteur à la base

Aller Concentration d'e-injecté de l'émetteur à la base = Concentration d'équilibre thermique*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Capacité de diffusion de petit signal de BJT

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*(Courant de collecteur/Tension de seuil)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Charge d'électrons stockée dans la base de BJT

Aller Charge d'électrons stockée = Constante de l'appareil*Courant de collecteur

Capacité de diffusion de petits signaux

Aller Capacité émetteur-base = Constante de l'appareil*Transconductance

Fréquence de transition du BJT donné Constante de l'appareil

Aller Fréquence de transition = 1/(2*pi*Constante de l'appareil)

Capacité de jonction base-émetteur

Aller Capacité de jonction base-émetteur = 2*Capacité émetteur-base

< 20 Circuit BJT Calculatrices

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturation

Aller Courant de base = (Courant de saturation/Gain de courant de l'émetteur commun)*e^(Tension base-émetteur/Tension thermique)

Fréquence de transition du BJT

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))

Puissance totale dissipée en BJT

Aller Pouvoir = Tension collecteur-émetteur*Courant de collecteur+Tension base-émetteur*Courant de base

Bande passante à gain unitaire de BJT

Aller Bande passante à gain unitaire = Transconductance/(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base)

Courant de référence du miroir BJT

Aller Courant de référence = Courant de collecteur+(2*Courant de collecteur)/Gain de courant de l'émetteur commun

Mode commun Taux de réjection

Aller Mode commun Taux de réjection = 20*log10(Gain en mode différentiel/Gain en mode commun)

Résistance de sortie de BJT

Aller Résistance = (Tension d'alimentation+Tension collecteur-émetteur)/Courant de collecteur

Tension de sortie de l'amplificateur BJT

Aller Tension de sortie = Tension d'alimentation-Courant de vidange*Résistance de charge

Gain de courant de base commune

Aller Gain de courant de base commune = Gain de courant de l'émetteur commun/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Concentration d'équilibre thermique du porteur de charge minoritaire

Aller Concentration d'équilibre thermique = ((Densité porteuse intrinsèque)^2)/Concentration de dopage de la base

Puissance totale fournie en BJT

Aller Pouvoir = Tension d'alimentation*(Courant de collecteur+Courant d'entrée)

Courant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteur

Aller Courant de base = Courant de l'émetteur/(Gain de courant de l'émetteur commun+1)

Courant de collecteur utilisant le courant d'émetteur

Aller Courant de collecteur = Gain de courant de base commune*Courant de l'émetteur

Courant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteur

Aller Courant de base = Courant de collecteur/Gain de courant de l'émetteur commun

Courant de base du transistor PNP utilisant le gain de courant de base commun

Aller Courant de base = (1-Gain de courant de base commune)*Courant de l'émetteur

Tension du collecteur à l'émetteur à saturation

Aller Tension collecteur-émetteur = Tension base-émetteur-Tension base-collecteur

Courant de collecteur de BJT

Aller Courant de collecteur = Courant de l'émetteur-Courant de base

Courant d'émetteur de BJT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de collecteur+Courant de base

Transconductance de court-circuit

Aller Transconductance = Courant de sortie/Tension d'entrée

Gain intrinsèque de BJT

Aller Gain intrinsèque = Tension précoce/Tension thermique

Fréquence de transition du BJT Formule

Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité émetteur-base+Capacité de jonction collecteur-base))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))

Quelle est la fonction de BJT?

La fonction de base principale d'un BJT est d'amplifier le courant, il permettra aux BJT d'être utilisés comme amplificateurs ou commutateurs pour produire une large applicabilité dans les équipements électroniques, notamment les téléphones mobiles, le contrôle industriel, la télévision et les émetteurs radio.

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