CMOS Moyenne Parcours Libre Calculatrice

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Caractéristiques des circuits CMOS

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✖La tension critique dans CMOS est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.ⓘ Tension critique dans CMOS [V_c]			+10% -10%
✖Le champ électrique critique est défini comme la force électrique par unité de charge.ⓘ Champ électrique critique [E_c]			+10% -10%

✖Le libre parcours moyen est défini comme la distance moyenne parcourue par une particule en mouvement entre des impacts successifs, ce qui modifie sa direction, son énergie ou d'autres propriétés de la particule.ⓘ CMOS Moyenne Parcours Libre [L]

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Formule

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CMOS Moyenne Parcours Libre

Formule

`"L" = "V"_{"c"}/"E"_{"c"}`

Exemple

`"697.5mm"="2.79V"/"0.004V/mm"`

Calculatrice

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CMOS Moyenne Parcours Libre Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
L = V_c/E_c
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Libre parcours moyen - (Mesuré en Mètre) - Le libre parcours moyen est défini comme la distance moyenne parcourue par une particule en mouvement entre des impacts successifs, ce qui modifie sa direction, son énergie ou d'autres propriétés de la particule.
Tension critique dans CMOS - (Mesuré en Volt) - La tension critique dans CMOS est la phase minimale par rapport à la tension neutre qui brille et apparaît tout au long du conducteur de ligne.
Champ électrique critique - (Mesuré en Volt par mètre) - Le champ électrique critique est défini comme la force électrique par unité de charge.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension critique dans CMOS: 2.79 Volt --> 2.79 Volt Aucune conversion requise
Champ électrique critique: 0.004 Volt par millimètre --> 4 Volt par mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

L = V_c/E_c --> 2.79/4

Évaluer ... ...

L = 0.6975

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.6975 Mètre -->697.5 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

697.5 Millimètre <-- Libre parcours moyen

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS

Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)

Permittivité de la couche d'oxyde

Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Épaisseur de la couche d'oxyde

Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée

Largeur de la porte

Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)

Largeur de la région d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal

Largeur de transition du CMOS

Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS

Longueur effective du canal

Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal

Champ électrique critique

Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron

Largeur de diffusion de la source

Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source

Zone de diffusion de la source

Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition

CMOS Moyenne Parcours Libre

Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique

Tension critique CMOS

Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Tension au minimum EDP

Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

CMOS Moyenne Parcours Libre Formule

Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique
L = V_c/E_c

Quels sont les effets de la température sur le courant de saturation inverse et la tension de barrière ?

La température a un impact significatif sur le courant de saturation inverse et la tension de barrière dans les transistors à couches minces. Une augmentation de la température entraîne généralement une augmentation du courant de saturation inverse et une diminution de la tension de barrière. En effet, des températures plus élevées entraînent une augmentation de l'énergie cinétique du gaz, ce qui peut faciliter l'injection de porteurs de charge dans la région d'appauvrissement du transistor.

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