CMOS significa caminho livre Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
L = Vc/Ec
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Significa caminho livre - (Medido em Metro) - Caminho Livre Médio é definido como a distância média percorrida por uma partícula em movimento entre impactos sucessivos, o que modifica sua direção ou energia ou outras propriedades da partícula.
Tensão Crítica em CMOS - (Medido em Volt) - A tensão crítica no CMOS é a fase mínima da tensão neutra que brilha e aparece ao longo de todo o condutor da linha.
Campo Elétrico Crítico - (Medido em Volt por Metro) - Campo Elétrico Crítico é definido como a força elétrica por unidade de carga.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão Crítica em CMOS: 2.79 Volt --> 2.79 Volt Nenhuma conversão necessária
Campo Elétrico Crítico: 0.004 Volt por Milímetro --> 4 Volt por Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
L = Vc/Ec --> 2.79/4
Avaliando ... ...
L = 0.6975
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.6975 Metro -->697.5 Milímetro (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
697.5 Milímetro <-- Significa caminho livre
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS
​ Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)
Permissividade da Camada de Óxido
​ Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Espessura da Camada de Óxido
​ Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada
Largura do Portão
​ Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)
Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral
​ Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)
Largura de transição do CMOS
​ Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
Largura da região de depleção
​ Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal
Comprimento Efetivo do Canal
​ Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento
Comprimento da junção PN
​ Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal
Campo Elétrico Crítico
​ Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron
CMOS significa caminho livre
​ Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
Tensão Crítica CMOS
​ Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
Largura da Difusão da Fonte
​ Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
Área de Difusão de Fonte
​ Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição
Tensão no Mínimo EDP
​ Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

CMOS significa caminho livre Fórmula

Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
L = Vc/Ec

Quais são os efeitos da temperatura na corrente de saturação reversa e na tensão de barreira?

A temperatura tem um impacto significativo na corrente de saturação reversa e na tensão de barreira em transistores de filme fino. Um aumento na temperatura normalmente resulta em um aumento na corrente de saturação reversa e uma diminuição na tensão de barreira. Isto ocorre porque temperaturas mais altas levam ao aumento da energia cinética do gás, o que pode facilitar a injeção de portadores de carga na região de depleção do transistor.

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