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Caractéristiques du retard CMOS PDF

Formules : 13
Taille : 319 kb

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Contenu du PDF Caractéristiques du retard CMOS

Liste des 13 Caractéristiques du retard CMOS Formules

Augmentation du retard

Délai de propagation

Délai de propagation dans le circuit

Délai de propagation sans capacité parasite

Gain VCDL

Ligne à retard contrôlée en tension

Petit retard de déviation

Retard de la porte AND-OR dans la cellule grise

Retard des portes de propagation 1 bit

Retard normalisé

Taux de bord

Temps d'automne

Temps de montée

Variables utilisées dans le PDF Caractéristiques du retard CMOS

C_d Capacité de retard (microfarades)
d Délai normalisé
K_vcdl Gain VDL
N_gates Portes sur le chemin critique
R_rise Augmenter la résistance (milliohm)
t_AO Retard de la porte ET OU (Nanoseconde)
t_c Capacité de retard de propagation (Nanoseconde)
t_ckt Retard de propagation du circuit (Nanoseconde)
T_d Retarder la montée (Nanoseconde)
T_delay Retard du chemin critique (Nanoseconde)
t_e Taux de bord (Nanoseconde)
t_f Temps d'automne (Nanoseconde)
t_ir Retard de montée intrinsèque (Nanoseconde)
t_pd Délai de propagation total (Nanoseconde)
t_pHL Délai de propagation élevé à faible (Nanoseconde)
t_pLH Délai de propagation faible à élevé (Nanoseconde)
t_prev Retard Précédent (Nanoseconde)
t_r Temps de montée (Nanoseconde)
t_sr Montée de la pente (Nanoseconde)
t_XOR Retard de la porte XOR (Nanoseconde)
ΔT_out Délai de petit écart
ΔV_ctrl Ligne à retard contrôlée en tension (Volt)

Constantes, fonctions et mesures utilisées dans le PDF Caractéristiques du retard CMOS

La mesure: Temps in Nanoseconde (ns)
Temps Conversion d'unité
La mesure: Capacitance in microfarades (μF)
Capacitance Conversion d'unité
La mesure: Résistance électrique in milliohm (mΩ)
Résistance électrique Conversion d'unité
La mesure: Potentiel électrique in Volt (V)
Potentiel électrique Conversion d'unité

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Caractéristiques du retard CMOS gratuit PDF

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