Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P Calculatrice

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Caractéristiques des semi-conducteurs

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Caractéristiques du transporteur de charge

Paramètres de fonctionnement des transistors

Paramètres électrostatiques

✖La concentration d'accepteur est la concentration de trous à l'état accepteur.ⓘ Concentration d'accepteur [N_a]			+10% -10%
✖La mobilité des trous est la capacité d'un trou à se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur, en présence d'un champ électrique appliqué.ⓘ Mobilité des trous [μ_p]			+10% -10%

✖La conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) est la mesure de la facilité avec laquelle une charge électrique ou de la chaleur peut traverser un matériau semi-conducteur extrinsèque de type p.ⓘ Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P [σ_p]

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Formule

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Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P

Formule

`"σ"_{"p"} = "N"_{"a"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"p"}`

Exemple

`"0.240326S/m"="1e16/m³"*"[Charge-e]"*"150m²/V*s"`

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Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) = Concentration d'accepteur*[Charge-e]*Mobilité des trous
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

[Charge-e] - Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19

Variables utilisées

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) - (Mesuré en Siemens / mètre) - La conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) est la mesure de la facilité avec laquelle une charge électrique ou de la chaleur peut traverser un matériau semi-conducteur extrinsèque de type p.
Concentration d'accepteur - (Mesuré en 1 par mètre cube) - La concentration d'accepteur est la concentration de trous à l'état accepteur.
Mobilité des trous - (Mesuré en Mètre carré par volt par seconde) - La mobilité des trous est la capacité d'un trou à se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur, en présence d'un champ électrique appliqué.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Concentration d'accepteur: 1E+16 1 par mètre cube --> 1E+16 1 par mètre cube Aucune conversion requise
Mobilité des trous: 150 Mètre carré par volt par seconde --> 150 Mètre carré par volt par seconde Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p --> 1E+16*[Charge-e]*150

Évaluer ... ...

σ_p = 0.240326493

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.240326493 Siemens / mètre --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.240326493 ≈ 0.240326 Siemens / mètre <-- Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p)

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » EDC » Caractéristiques des semi-conducteurs » Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 13 Caractéristiques des semi-conducteurs Calculatrices

Conductivité dans les semi-conducteurs

Aller Conductivité = (Densité d'électron*[Charge-e]*Mobilité de l'électron)+(Densité des trous*[Charge-e]*Mobilité des trous)

Fonction de répartition de Fermi Dirac

Aller Fonction de répartition de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Niveau d'énergie de Fermi-Niveau d'énergie de Fermi)/([BoltZ]*Température)))

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques pour le type N

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type n) = Concentration des donateurs*[Charge-e]*Mobilité de l'électron

Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P

Aller Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) = Concentration d'accepteur*[Charge-e]*Mobilité des trous

Longueur de diffusion d'électrons

Aller Longueur de diffusion d'électrons = sqrt(Constante de diffusion électronique*Porteur minoritaire à vie)

Écart de bande d'énergie

Aller Écart de bande d'énergie = Écart de bande d'énergie à 0K-(Température*Constante spécifique au matériau)

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs pour le type p

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Concentration de porteurs majoritaires dans les semi-conducteurs

Aller Concentration des porteurs majoritaires = Concentration de transporteur intrinsèque^2/Concentration des porteurs minoritaires

Niveau de Fermi des semi-conducteurs intrinsèques

Aller Semi-conducteur intrinsèque de niveau de Fermi = (Énergie de bande de conduction+Énergie de la bande de cantonnière)/2

Densité de courant de dérive

Aller Densité de courant de dérive = Densité de courant des trous+Densité de courant électronique

Mobilité des Porteurs de Charge

Aller Porteurs de charge Mobilité = Vitesse de dérive/Intensité du champ électrique

Tension de saturation utilisant la tension de seuil

Aller Tension de saturation = Tension de source de grille-Tension de seuil

Champ électrique dû à la tension Hall

Aller Hall Champ électrique = Tension Hall/Largeur du conducteur

Conductivité du semi-conducteur extrinsèque pour le type P Formule

Conductivité des semi-conducteurs extrinsèques (type p) = Concentration d'accepteur*[Charge-e]*Mobilité des trous
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p

Expliquez la conductivité des semi-conducteurs.

Les semi-conducteurs sont des semi-bons conducteurs électriques car bien que leur bande de valence soit complètement remplie, l'écart d'énergie entre la bande de cantonnière et la bande de conduction n'est pas trop grand. Par conséquent, certains électrons peuvent le pont pour devenir des porteurs de charge. La différence entre les semi-conducteurs et un isolant est l'amplitude de l'écart d'énergie. Pour les semi-conducteurs Eg <2eV et pour les isolateurs Eg> 2eV, il nous est bien connu que la conductivité d'un semi-conducteur dépend de la concentration d'électrons libres qu'il contient

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