Проводимость внешнего полупроводника для P-типа Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий
σp = Na*[Charge-e]*μp
В этой формуле используются 1 Константы, 3 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Lading van elektron Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
Проводимость внешних полупроводников (p-типа) - (Измеряется в Сименс/ метр) - Проводимость внешних полупроводников (р-типа) является мерой легкости, с которой электрический заряд или тепло могут проходить через внешний полупроводниковый материал р-типа.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Акцепторная концентрация — это концентрация дырок в акцепторном состоянии.
Подвижность отверстий - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность дырок — это способность дырки двигаться сквозь металл или полупроводник в присутствии приложенного электрического поля.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Концентрация акцептора: 1E+16 1 на кубический метр --> 1E+16 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Подвижность отверстий: 150 Квадратный метр на вольт в секунду --> 150 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
σp = Na*[Charge-e]*μp --> 1E+16*[Charge-e]*150
Оценка ... ...
σp = 0.240326493
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.240326493 Сименс/ метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.240326493 0.240326 Сименс/ метр <-- Проводимость внешних полупроводников (p-типа)
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

13 Полупроводниковые характеристики Калькуляторы

Проводимость в полупроводниках
Идти проводимость = (Электронная плотность*[Charge-e]*Подвижность электрона)+(Плотность отверстий*[Charge-e]*Подвижность отверстий)
Функция распределения Ферми Дирака
Идти Функция распределения Ферми Дирака = 1/(1+e^((Энергия уровня Ферми-Энергия уровня Ферми)/([BoltZ]*Температура)))
Запрещенная энергетическая зона
Идти Запрещенная энергетическая зона = Запрещенная энергетическая полоса при 0K-(Температура*Постоянная, специфичная для материала)
Проводимость внешнего полупроводника для P-типа
Идти Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий
Проводимость внешних полупроводников для N-типа
Идти Проводимость внешних полупроводников (n-типа) = Концентрация доноров*[Charge-e]*Подвижность электрона
Длина диффузии электронов
Идти Электронная диффузионная длина = sqrt(Константа электронной диффузии*Миноритарный перевозчик Lifetime)
Концентрация основных носителей в полупроводнике для p-типа
Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
Концентрация основных носителей в полупроводнике
Идти Концентрация большинства носителей = Концентрация внутреннего носителя^2/Концентрация миноритарных перевозчиков
Уровень Ферми собственных полупроводников
Идти Внутренний полупроводник на уровне Ферми = (Энергия зоны проводимости+Энергия полосы Валанса)/2
Подвижность носителей заряда
Идти Мобильность носителей заряда = Скорость дрейфа/Напряженность электрического поля
Плотность дрейфового тока
Идти Плотность дрейфового тока = Отверстия Плотность тока+Плотность электронного тока
Напряжение насыщения с использованием порогового напряжения
Идти Напряжение насыщения = Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение
Электрическое поле из-за напряжения Холла
Идти Электрическое поле Холла = Напряжение Холла/Ширина проводника

Проводимость внешнего полупроводника для P-типа формула

Проводимость внешних полупроводников (p-типа) = Концентрация акцептора*[Charge-e]*Подвижность отверстий
σp = Na*[Charge-e]*μp

Объясните проводимость в полупроводниках.

Полупроводники являются полухорошими электрическими проводниками, потому что, хотя их валентная зона полностью заполнена, энергетический зазор между валентной зоной и зоной проводимости не слишком велик. Следовательно, некоторые электроны могут соединить его, чтобы стать носителями заряда. Разница между полупроводниками и диэлектриком заключается в величине запрещенной зоны. Для полупроводников Eg <2 эВ и для изоляторов Eg> 2 эВ. Нам хорошо известно, что проводимость полупроводника зависит от концентрации в нем свободных электронов.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!