Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ Taschenrechner

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Halbleitereigenschaften

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Elektrostatische Parameter

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✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]			+10% -10%
✖Die Beweglichkeit von Löchern ist die Fähigkeit eines Lochs, sich in Gegenwart eines angelegten elektrischen Feldes durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen.ⓘ Mobilität von Löchern [μ_p]			+10% -10%

✖Die Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern (p-Typ) ist das Maß für die Leichtigkeit, mit der eine elektrische Ladung oder Wärme durch ein extrinsisches Halbleitermaterial vom p-Typ fließen kann.ⓘ Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ [σ_p]

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Formel

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Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Formel

`"σ"_{"p"} = "N"_{"a"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"p"}`

Beispiel

`"0.240326S/m"="1e16/m³"*"[Charge-e]"*"150m²/V*s"`

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Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) - (Gemessen in Siemens / Meter) - Die Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern (p-Typ) ist das Maß für die Leichtigkeit, mit der eine elektrische Ladung oder Wärme durch ein extrinsisches Halbleitermaterial vom p-Typ fließen kann.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.
Mobilität von Löchern - (Gemessen in Quadratmeter pro Volt pro Sekunde) - Die Beweglichkeit von Löchern ist die Fähigkeit eines Lochs, sich in Gegenwart eines angelegten elektrischen Feldes durch ein Metall oder einen Halbleiter zu bewegen.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Akzeptorkonzentration: 1E+16 1 pro Kubikmeter --> 1E+16 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Mobilität von Löchern: 150 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde --> 150 Quadratmeter pro Volt pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p --> 1E+16*[Charge-e]*150

Auswerten ... ...

σ_p = 0.240326493

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.240326493 Siemens / Meter --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.240326493 ≈ 0.240326 Siemens / Meter <-- Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ)

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 13 Halbleitereigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit in Halbleitern

Gehen Leitfähigkeit = (Elektronendichte*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons)+(Lochdichte*[Charge-e]*Mobilität von Löchern)

Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion

Gehen Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion = 1/(1+e^((Fermi-Niveau-Energie-Fermi-Niveau-Energie)/([BoltZ]*Temperatur)))

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter für N-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (n-Typ) = Spenderkonzentration*[Charge-e]*Mobilität des Elektrons

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ

Gehen Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern

Elektronendiffusionslänge

Gehen Elektronendiffusionslänge = sqrt(Elektronendiffusionskonstante*Minority Carrier Lifetime)

Energiebandlücke

Gehen Energiebandlücke = Energiebandlücke bei 0K-(Temperatur*Materialspezifische Konstante)

Mehrheitliche Ladungsträgerkonzentration in Halbleitern

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Mehrheitsträgerkonzentration im Halbleiter für p-Typ

Gehen Konzentration der Mehrheit der Träger = Intrinsische Trägerkonzentration^2/Konzentration von Minderheitsträgern

Fermi-Niveau intrinsischer Halbleiter

Gehen Intrinsischer Fermi-Level-Halbleiter = (Leitungsbandenergie+Volantband-Energie)/2

Mobilität von Ladungsträgern

Gehen Ladungsträgermobilität = Driftgeschwindigkeit/Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte

Gehen Driftstromdichte = Löcher Stromdichte+Elektronenstromdichte

Sättigungsspannung unter Verwendung der Schwellenspannung

Gehen Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Elektrisches Feld aufgrund der Hall-Spannung

Gehen Hall elektrisches Feld = Hall-Spannung/Leiterbreite

Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitern für P-Typ Formel

Leitfähigkeit extrinsischer Halbleiter (p-Typ) = Akzeptorkonzentration*[Charge-e]*Mobilität von Löchern
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p

Erklären Sie die Leitfähigkeit in Halbleitern.

Halbleiter sind halb gute elektrische Leiter, denn obwohl ihr Valenzband vollständig gefüllt ist, ist die Energielücke zwischen dem Valenzband und dem Leitungsband nicht zu groß. Daher können einige Elektronen es überbrücken, um Ladungsträger zu werden. Der Unterschied zwischen Halbleitern und einem Isolator ist die Größe der Energielücke. Für Halbleiter zB <2eV und für Isolatoren zB> 2eV ist uns bekannt, dass die Leitfähigkeit eines Halbleiters von der Konzentration der darin enthaltenen freien Elektronen abhängt

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