Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Halfgeleiderkenmerken

Diode-eigenschappen

Elektrostatische parameters

Kenmerken van ladingdragers

Transistor-bedrijfsparameters

✖Acceptorconcentratie is de concentratie van gaten in acceptortoestand.ⓘ Acceptor concentratie [N_a]			+10% -10%
✖Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.ⓘ Mobiliteit van gaten [μ_p]			+10% -10%

✖Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een extrinsiek halfgeleidermateriaal van p-type kan gaan.ⓘ Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type [σ_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Formule

`"σ"_{"p"} = "N"_{"a"}*"[Charge-e]"*"μ"_{"p"}`

Voorbeeld

`"0.240326S/m"="1e16/m³"*"[Charge-e]"*"150m²/V*s"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Halfgeleiderkenmerken Formules Pdf

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) - (Gemeten in Siemens/Meter) - Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) is de maat voor het gemak waarmee een elektrische lading of warmte door een extrinsiek halfgeleidermateriaal van p-type kan gaan.
Acceptor concentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Acceptorconcentratie is de concentratie van gaten in acceptortoestand.
Mobiliteit van gaten - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Mobiliteit van gaten is het vermogen van een gat om door een metaal of halfgeleider te bewegen, in aanwezigheid van een aangelegd elektrisch veld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Acceptor concentratie: 1E+16 1 per kubieke meter --> 1E+16 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Mobiliteit van gaten: 150 Vierkante meter per volt per seconde --> 150 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p --> 1E+16*[Charge-e]*150

Evalueren ... ...

σ_p = 0.240326493

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.240326493 Siemens/Meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.240326493 ≈ 0.240326 Siemens/Meter <-- Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type)

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » EDC » Halfgeleiderkenmerken » Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 13 Halfgeleiderkenmerken Rekenmachines

Geleidbaarheid in halfgeleiders

Gaan Geleidbaarheid = (Elektronendichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron)+(Gaten Dichtheid*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten)

Fermi Dirac-distributiefunctie

Gaan Fermi Dirac-distributiefunctie = 1/(1+e^((Fermi-niveau energie-Fermi-niveau energie)/([BoltZ]*Temperatuur)))

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders voor N-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (n-type) = Donor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van Electron

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type

Gaan Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten

Lengte elektronendiffusie

Gaan Elektron diffusie lengte = sqrt(Elektronendiffusieconstante*Minderheid Carrier Lifetime)

Energiebandkloof

Gaan Energiebandkloof = Energiebandafstand bij 0K-(Temperatuur*Materiaalspecifieke constante)

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleider voor p-type

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Meerderheidsdragerconcentratie in halfgeleiders

Gaan Meerderheid Carrier Concentratie = Intrinsieke dragerconcentratie^2/Concentratie van minderheidsdragers

Fermi-niveau van intrinsieke halfgeleiders

Gaan Fermi-niveau intrinsieke halfgeleider = (Geleidingsband energie+Valance Band-energie)/2

Drift huidige dichtheid

Gaan Drift huidige dichtheid = Gaten Huidige Dichtheid+Elektronenstroomdichtheid

Mobiliteit van ladingdragers

Gaan Laaddragers Mobiliteit = Drift snelheid/Elektrische veldintensiteit

Verzadigingsspanning met behulp van drempelspanning

Gaan Verzadigingsspanning = Poortbronspanning-Drempelspanning

Elektrisch veld als gevolg van Hall-spanning

Gaan Zaal elektrisch veld = Zaal spanning/Dirigent Breedte

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleider voor P-type Formule

Geleidbaarheid van extrinsieke halfgeleiders (p-type) = Acceptor concentratie*[Charge-e]*Mobiliteit van gaten
σ_p = N_a*[Charge-e]*μ_p

Verklaar geleidbaarheid in halfgeleiders.

Halfgeleiders zijn semi-goede elektrische geleiders, want hoewel hun valentieband volledig gevuld is, is de energiekloof tussen de valanceband en de geleidingsband niet te groot. Daarom kunnen sommige elektronen het overbruggen om ladingsdragers te worden. Het verschil tussen halfgeleiders en een isolator is de grootte van de energiekloof. Voor halfgeleiders Eg <2eV en voor isolatoren Eg> 2eV.Het is ons bekend dat de geleidbaarheid van een halfgeleider afhangt van de concentratie van vrije elektronen erin

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!