Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros
σp = Na*[Charge-e]*μp
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
Variables utilizadas
Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) - (Medido en Siemens/Metro) - La conductividad de los semiconductores extrínsecos (tipo p) es la medida de la facilidad con la que una carga eléctrica o calor puede pasar a través de un material semiconductor extrínseco de tipo p.
Concentración del aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor es la concentración de huecos en el estado del aceptor.
Movilidad de Agujeros - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros es la capacidad de un agujero para moverse a través de un metal o semiconductor, en presencia de un campo eléctrico aplicado.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Concentración del aceptor: 1E+16 1 por metro cúbico --> 1E+16 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Movilidad de Agujeros: 150 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 150 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
σp = Na*[Charge-e]*μp --> 1E+16*[Charge-e]*150
Evaluar ... ...
σp = 0.240326493
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.240326493 Siemens/Metro --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.240326493 0.240326 Siemens/Metro <-- Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p)
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creado por Payal Priya
Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri
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Verificada por Urvi Rathod
Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

13 Características de los semiconductores Calculadoras

Conductividad en semiconductores
Vamos Conductividad = (Densidad de electrones*[Charge-e]*Movilidad de electrones)+(Densidad de agujeros*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros)
Función de distribución de Fermi Dirac
Vamos Función de distribución de Fermi Dirac = 1/(1+e^((Nivel de energía de Fermi-Nivel de energía de Fermi)/([BoltZ]*Temperatura)))
Conductividad de semiconductores extrínsecos para tipo N
Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo n) = Concentración de donantes*[Charge-e]*Movilidad de electrones
Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P
Vamos Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros
Longitud de difusión de electrones
Vamos Longitud de difusión de electrones = sqrt(Constante de difusión de electrones*Portador minoritario de por vida)
Brecha de banda de energía
Vamos Brecha de banda de energía = Brecha de banda de energía en 0K-(Temperatura*Constante específica del material)
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores para tipo p
Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Concentración de portadores mayoritarios en semiconductores
Vamos Concentración de portadores mayoritarios = Concentración de portador intrínseco^2/Concentración de portadores minoritarios
Nivel de Fermi de semiconductores intrínsecos
Vamos Semiconductor intrínseco de nivel Fermi = (Energía de banda de conducción+Energía de la banda de cenefa)/2
Densidad de corriente de deriva
Vamos Densidad de corriente de deriva = Agujeros Densidad de corriente+Densidad de corriente de electrones
Movilidad de los portadores de carga
Vamos Movilidad de Portadores de Carga = Velocidad de deriva/Intensidad de campo eléctrico
Voltaje de saturación usando voltaje de umbral
Vamos Voltaje de saturación = Voltaje de fuente de puerta-Voltaje de umbral
Campo eléctrico debido al voltaje Hall
Vamos Campo eléctrico de pasillo = Voltaje de pasillo/Ancho del conductor

Conductividad del semiconductor extrínseco para tipo P Fórmula

Conductividad de semiconductores extrínsecos (tipo p) = Concentración del aceptor*[Charge-e]*Movilidad de Agujeros
σp = Na*[Charge-e]*μp

Explica la conductividad en semiconductores.

Los semiconductores son conductores eléctricos semi buenos porque, aunque su banda de valencia está completamente llena, la brecha de energía entre la banda de la cenefa y la banda de conducción no es demasiado grande. Por lo tanto, algunos electrones pueden puentearlo para convertirse en portadores de carga. La diferencia entre semiconductores y un aislante es la magnitud de la brecha de energía. Para semiconductores, por ejemplo, <2eV y para aisladores, por ejemplo,> 2eV, sabemos bien que la conductividad de un semiconductor depende de la concentración de electrones libres en él.

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