Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów
σp = Na*[Charge-e]*μp
Ta formuła używa 1 Stałe, 3 Zmienne
Używane stałe
[Charge-e] - Carica dell'elettrone Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
Używane zmienne
Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) - (Mierzone w Siemens/Metr) - Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) jest miarą łatwości, z jaką ładunek elektryczny lub ciepło może przechodzić przez zewnętrzny materiał półprzewodnikowy typu p.
Koncentracja akceptora - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Koncentracja akceptora to koncentracja dziur w stanie akceptora.
Ruchliwość otworów - (Mierzone w Metr kwadratowy na wolt na sekundę) - Ruchliwość dziur to zdolność dziury do poruszania się w metalu lub półprzewodniku w obecności przyłożonego pola elektrycznego.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Koncentracja akceptora: 1E+16 1 na metr sześcienny --> 1E+16 1 na metr sześcienny Nie jest wymagana konwersja
Ruchliwość otworów: 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę --> 150 Metr kwadratowy na wolt na sekundę Nie jest wymagana konwersja
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
σp = Na*[Charge-e]*μp --> 1E+16*[Charge-e]*150
Ocenianie ... ...
σp = 0.240326493
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
0.240326493 Siemens/Metr --> Nie jest wymagana konwersja
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
0.240326493 0.240326 Siemens/Metr <-- Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p)
(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Zweryfikowane przez Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

13 Charakterystyka półprzewodników Kalkulatory

Przewodnictwo w półprzewodnikach
Iść Przewodność = (Gęstość elektronów*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów)+(Gęstość otworów*[Charge-e]*Ruchliwość otworów)
Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca
Iść Funkcja dystrybucji Fermiego Diraca = 1/(1+e^((Energia poziomu Fermiego-Energia poziomu Fermiego)/([BoltZ]*Temperatura)))
Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P
Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów
Przewodność zewnętrznych półprzewodników typu N
Iść Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu n) = Koncentracja dawców*[Charge-e]*Ruchliwość elektronów
Długość dyfuzji elektronów
Iść Długość dyfuzji elektronów = sqrt(Stała dyfuzji elektronów*Dożywotni przewoźnik mniejszościowy)
Pasmo energetyczne
Iść Pasmo energetyczne = Pasmo energetyczne przy 0K-(Temperatura*Stała specyficzna dla materiału)
Koncentracja większości nośników w półprzewodnikach dla typu p
Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
Stężenie większości nośników w półprzewodnikach
Iść Koncentracja większości nośników = Wewnętrzne stężenie nośnika^2/Koncentracja przewoźników mniejszościowych
Poziom Fermiego samoistnych półprzewodników
Iść Samoistny półprzewodnik poziomu Fermiego = (Energia pasma przewodnictwa+Energia pasma Valance'a)/2
Mobilność nośników ładunku
Iść Mobilność przewoźników ładunków = Prędkość dryfu/Natężenie pola elektrycznego
Gęstość prądu dryfu
Iść Gęstość prądu dryfu = Gęstość prądu otworów+Gęstość prądu elektronowego
Pole elektryczne wywołane napięciem Halla
Iść Pole elektryczne Halla = Napięcie Halla/Szerokość przewodnika
Napięcie nasycenia za pomocą napięcia progowego
Iść Napięcie nasycenia = Napięcie źródła bramki-Próg napięcia

Przewodność zewnętrznego półprzewodnika dla typu P Formułę

Przewodnictwo zewnętrznych półprzewodników (typu p) = Koncentracja akceptora*[Charge-e]*Ruchliwość otworów
σp = Na*[Charge-e]*μp

Wyjaśnij przewodnictwo w półprzewodnikach.

Półprzewodniki są pół-dobrymi przewodnikami elektrycznymi, ponieważ chociaż ich pasmo walencyjne jest całkowicie wypełnione, przerwa energetyczna między pasmem walencyjnym a pasmem przewodnictwa nie jest zbyt duża. Dlatego niektóre elektrony mogą mostkować go, aby stać się nośnikiem ładunku. Różnica między półprzewodnikami a izolatorem to wielkość luki energetycznej. Dla półprzewodników Eg <2eV i dla izolatorów Eg> 2eV Dobrze nam wiadomo, że przewodnictwo półprzewodnika zależy od stężenia w nim wolnych elektronów

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!