Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON Calculatrice

✖Le courant direct d'un IGBT est le courant maximum qui peut traverser l'appareil lorsqu'il est allumé.ⓘ Courant direct [I_f]			+10% -10%
✖La résistance du canal N d'un IGBT est la résistance du matériau semi-conducteur dans l'appareil lorsque l'IGBT est allumé.ⓘ Résistance du canal N [R_ch]			+10% -10%
✖La résistance à la dérive d'un IGBT est la région de dérive N du matériau semi-conducteur du dispositif. La région de dérive N est un silicium dopé épais qui sépare le collecteur de la région de base P.ⓘ Résistance à la dérive [R_d]			+10% -10%
✖La tension Pn à la jonction 1 est provoquée par la barrière de potentiel qui existe à la jonction. Cette barrière de potentiel est créée par la diffusion de porteurs de charge à travers la jonction.ⓘ Tension Pn Jonction 1 [V_j1]			+10% -10%

✖La chute de tension sur l'étage dans un IGBT est la différence de tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur lorsque l'IGBT est allumé. C'est un matériau semi-conducteur dans l'appareil.ⓘ Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON [V_drop]

⎘ Copie

👎

Formule

✖

Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON

Formule

`"V"_{"drop"} = "I"_{"f"}*"R"_{"ch"}+"I"_{"f"}*"R"_{"d"}+"V"_{"j1"}`

Exemple

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

Calculatrice

LaTeX

Réinitialiser

👍

Télécharger Électronique de puissance Formule PDF PDF Image

Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Chute de tension sur scène = Courant direct*Résistance du canal N+Courant direct*Résistance à la dérive+Tension Pn Jonction 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Chute de tension sur scène - (Mesuré en Volt) - La chute de tension sur l'étage dans un IGBT est la différence de tension entre les bornes du collecteur et de l'émetteur lorsque l'IGBT est allumé. C'est un matériau semi-conducteur dans l'appareil.
Courant direct - (Mesuré en Ampère) - Le courant direct d'un IGBT est le courant maximum qui peut traverser l'appareil lorsqu'il est allumé.
Résistance du canal N - (Mesuré en Ohm) - La résistance du canal N d'un IGBT est la résistance du matériau semi-conducteur dans l'appareil lorsque l'IGBT est allumé.
Résistance à la dérive - (Mesuré en Ohm) - La résistance à la dérive d'un IGBT est la région de dérive N du matériau semi-conducteur du dispositif. La région de dérive N est un silicium dopé épais qui sépare le collecteur de la région de base P.
Tension Pn Jonction 1 - (Mesuré en Volt) - La tension Pn à la jonction 1 est provoquée par la barrière de potentiel qui existe à la jonction. Cette barrière de potentiel est créée par la diffusion de porteurs de charge à travers la jonction.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant direct: 1.69 Milliampère --> 0.00169 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Résistance du canal N: 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la dérive: 0.98 Kilohm --> 980 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Tension Pn Jonction 1: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1 --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Évaluer ... ...

V_drop = 20.2533

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

20.2533 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

20.2533 Volt <-- Chute de tension sur scène

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Tu es là -

Accueil » Ingénierie » Électrique » Électronique de puissance » Dispositifs à transistors avancés » IGBT » Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON

Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ IGBT Calculatrices

Courant nominal continu du collecteur de l'IGBT

Aller Courant direct = (-Tension totale du collecteur et de l'émetteur+sqrt((Tension totale du collecteur et de l'émetteur)^2+4*Résistance du collecteur et de l'émetteur*((Jonction de fonctionnement maximale-Température du boîtier)/Résistance thermique)))/(2*Résistance du collecteur et de l'émetteur)

Tension de saturation de l'IGBT

Aller Tension de saturation du collecteur à l'émetteur = Tension de l'émetteur de base du transistor PNP+Courant de vidange*(Résistance à la conductivité+Résistance du canal N)

Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON

Aller Chute de tension sur scène = Courant direct*Résistance du canal N+Courant direct*Résistance à la dérive+Tension Pn Jonction 1

Tension de claquage de la polarisation inverse de l'IGBT

Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = 5.34*10^13*((Courant total du collecteur)/(Charge électrique*Tension de saturation P Base))

Temps d'arrêt de l'IGBT

Aller Heure d'arrêt = Temporisation+Temps de chute initial+Dernière heure d'automne

Dissipation de puissance maximale dans l'IGBT

Aller Dissipation de puissance maximale = Jonction de fonctionnement maximale/Jonction à l'angle du boîtier

Capacité de sortie de l'IGBT

Aller Capacité de sortie = Capacité du collecteur à l’émetteur+Capacité porte à collecteur

Tension de claquage de la polarisation directe de l'IGBT

Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = (5.34*10^13)/((Charge positive nette)^(3/4))

Capacité d'entrée de l'IGBT

Aller Capacité d'entrée = Capacité porte à émetteur+Capacité porte à collecteur

Courant émetteur de l'IGBT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de trou+Courant électronique

Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON Formule

Chute de tension sur scène = Courant direct*Résistance du canal N+Courant direct*Résistance à la dérive+Tension Pn Jonction 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1

Accueil

GRATUIT PDF

🔍 Chercher

Catégories

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!