Puissance totale dissipée dans NMOS Calculatrice

✖Le courant de drain dans NMOS est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).ⓘ Courant de drain dans NMOS [I_d]			+10% -10%
✖La résistance du canal ON est la valeur de résistance du canal entre le drain et la source pour tout circuit Mosfet standard.ⓘ Résistance du canal ON [R_on]			+10% -10%

✖La puissance dissipée fait référence à l'énergie qui est convertie en chaleur et perdue dans un circuit ou un système en raison de la présence de résistance, de frottement ou d'autres formes de perte d'énergie.ⓘ Puissance totale dissipée dans NMOS [P_D]

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Formule

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Puissance totale dissipée dans NMOS

Formule

`"P"_{"D"} = "I"_{"d"}^2*"R"_{"on"}`

Exemple

`"1142.42mW"=("239mA")^2*"0.02kΩ"`

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Puissance totale dissipée dans NMOS Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON
P_D = I_d^2*R_on
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Puissance dissipée - (Mesuré en Watt) - La puissance dissipée fait référence à l'énergie qui est convertie en chaleur et perdue dans un circuit ou un système en raison de la présence de résistance, de frottement ou d'autres formes de perte d'énergie.
Courant de drain dans NMOS - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain dans NMOS est le courant électrique circulant du drain à la source d'un transistor à effet de champ (FET) ou d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET).
Résistance du canal ON - (Mesuré en Ohm) - La résistance du canal ON est la valeur de résistance du canal entre le drain et la source pour tout circuit Mosfet standard.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Courant de drain dans NMOS: 239 Milliampère --> 0.239 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Résistance du canal ON: 0.02 Kilohm --> 20 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

P_D = I_d^2*R_on --> 0.239^2*20

Évaluer ... ...

P_D = 1.14242

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.14242 Watt -->1142.42 Milliwatt (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

1142.42 Milliwatt <-- Puissance dissipée

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 17 Amélioration du canal N Calculatrices

Courant entrant dans la source de drain dans la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*((Tension de source de grille-Tension de seuil)*Tension de source de drain-1/2*(Tension de source de drain)^2)

Courant entrant dans la borne de drain du NMOS étant donné la tension de source de grille

Effet corporel dans NMOS

Aller Changement de tension de seuil = Tension de seuil+Paramètre de processus de fabrication*(sqrt(2*Paramètre physique+Tension entre le corps et la source)-sqrt(2*Paramètre physique))

Courant entrant dans la borne de drain de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*Tension de source de drain*(Tension de surcharge en NMOS-1/2*Tension de source de drain)

NMOS comme résistance linéaire

Aller Résistance linéaire = Longueur du canal/(Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil))

Courant de drainage lorsque NMOS fonctionne comme source de courant contrôlée en tension

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de grille-Tension de seuil)^2

Paramètre de processus de fabrication de NMOS

Aller Paramètre de processus de fabrication = sqrt(2*[Charge-e]*Concentration de dopage du substrat P*[Permitivity-vacuum])/Capacité d'oxyde

Courant entrant dans la source de drain dans la région de saturation de NMOS étant donné la tension effective

Aller Courant de drain de saturation = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de surcharge en NMOS)^2

Courant entrant dans la source de drain à la limite de la saturation et de la région triode de NMOS

Aller Courant de drain dans NMOS = 1/2*Paramètre de transconductance de processus dans NMOS*Largeur du canal/Longueur du canal*(Tension de source de drain)^2

Vitesse de dérive des électrons du canal dans le transistor NMOS

Aller Vitesse de dérive des électrons = Mobilité des électrons à la surface du canal*Champ électrique sur toute la longueur du canal

Puissance totale fournie en NMOS

Aller Alimentation fournie = Tension d'alimentation*(Courant de drain dans NMOS+Actuel)

Résistance de sortie de la source de courant NMOS donnée Drain Current

Aller Résistance de sortie = Paramètre de l'appareil/Courant de drain sans modulation de longueur de canal

Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus dans PMOS*Ratio d'aspect

Puissance totale dissipée dans NMOS

Aller Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON

Tension positive donnée Longueur de canal en NMOS

Aller Tension = Paramètre de l'appareil*Longueur du canal

Capacité d'oxyde de NMOS

Aller Capacité d'oxyde = (3.45*10^(-11))/Épaisseur d'oxyde

Puissance totale dissipée dans NMOS Formule

Puissance dissipée = Courant de drain dans NMOS^2*Résistance du canal ON
P_D = I_d^2*R_on

Quelle est la puissance dissipée?

La définition de la dissipation d'énergie est le processus par lequel un appareil électronique ou électrique produit de la chaleur (perte ou gaspillage d'énergie) en tant que dérivé indésirable de son action principale. Comme dans le cas des unités centrales de traitement, la dissipation de puissance est une préoccupation majeure en architecture informatique. De plus, la dissipation de puissance dans les résistances est considérée comme un phénomène naturel. Il n'en reste pas moins que toutes les résistances qui font partie d'un circuit et ont une chute de tension à travers elles dissiperont l'énergie électrique. De plus, cette puissance électrique se transforme en énergie thermique, et donc toutes les résistances ont une (puissance) nominale. En outre, la puissance nominale d'une résistance est une classification qui paramètre la puissance maximale qu'elle peut dissiper avant d'atteindre une défaillance critique.

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