Całkowita moc rozpraszana w NMOS Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń
Formułę używana
Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału
PD = Id^2*Ron
Ta formuła używa 3 Zmienne
Używane zmienne
Moc rozproszona - (Mierzone w Wat) - Moc rozpraszana odnosi się do energii, która jest przekształcana w ciepło i tracona w obwodzie lub systemie z powodu obecności oporu, tarcia lub innych form utraty energii.
Prąd spustowy w NMOS - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
ON Rezystancja kanału - (Mierzone w Om) - Rezystancja kanału ON to wartość rezystancji kanału pomiędzy drenem a źródłem dla dowolnego standardowego obwodu Mosfet.
KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową
Prąd spustowy w NMOS: 239 Miliamper --> 0.239 Amper (Sprawdź konwersję ​tutaj)
ON Rezystancja kanału: 0.02 Kilohm --> 20 Om (Sprawdź konwersję ​tutaj)
KROK 2: Oceń formułę
Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze
PD = Id^2*Ron --> 0.239^2*20
Ocenianie ... ...
PD = 1.14242
KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia
1.14242 Wat -->1142.42 Miliwat (Sprawdź konwersję ​tutaj)
OSTATNIA ODPOWIEDŹ
1142.42 Miliwat <-- Moc rozproszona
(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Kredyty

Creator Image
Stworzone przez Payal Priya LinkedIn Logo
Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri
Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!
Verifier Image
Zweryfikowane przez Urvi Rathod LinkedIn Logo
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)
Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki
​ LaTeX ​ Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2)
NMOS jako rezystancja liniowa
​ LaTeX ​ Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))
Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS
​ LaTeX ​ Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc rozpraszana w NMOS Formułę

​LaTeX ​Iść
Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału
PD = Id^2*Ron

Czym jest rozpraszana moc?

Definicja rozpraszania mocy to proces, w którym urządzenie elektroniczne lub elektryczne wytwarza ciepło (straty lub straty energii) jako niepożądaną pochodną swojego pierwotnego działania. Tak jak w przypadku jednostek centralnych, rozpraszanie mocy jest głównym problemem w architekturze komputera. Ponadto rozpraszanie mocy w rezystorach jest uważane za zjawisko występujące naturalnie. Faktem jest, że wszystkie rezystory, które są częścią obwodu i mają spadek napięcia na nich, rozpraszają energię elektryczną. Ponadto ta moc elektryczna przekształca się w energię cieplną, a zatem wszystkie rezystory mają wartość znamionową (moc). Ponadto moc znamionowa rezystora jest klasyfikacją, która parametryzuje maksymalną moc, jaką może on rozproszyć, zanim osiągnie krytyczną awarię.

© 2016-2025 calculatoratoz.com A softUsvista Inc. venture!



Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!