Potência total dissipada em NMOS Calculadora

✖A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).ⓘ Drenar corrente em NMOS [I_d]			+10% -10%
✖A resistência do canal ON é o valor da resistência do canal entre o dreno e a fonte para qualquer circuito Mosfet padrão.ⓘ Resistência do Canal LIGADO [R_on]			+10% -10%

✖A energia dissipada refere-se à energia que é convertida em calor e perdida em um circuito ou sistema devido à presença de resistência, fricção ou outras formas de perda de energia.ⓘ Potência total dissipada em NMOS [P_D]

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Potência total dissipada em NMOS

Fórmula

`"P"_{"D"} = "I"_{"d"}^2*"R"_{"on"}`

Exemplo

`"1142.42mW"=("239mA")^2*"0.02kΩ"`

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Potência total dissipada em NMOS Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO
P_D = I_d^2*R_on
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Poder Dissipado - (Medido em Watt) - A energia dissipada refere-se à energia que é convertida em calor e perdida em um circuito ou sistema devido à presença de resistência, fricção ou outras formas de perda de energia.
Drenar corrente em NMOS - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno em NMOS é a corrente elétrica que flui do dreno para a fonte de um transistor de efeito de campo (FET) ou um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Resistência do Canal LIGADO - (Medido em Ohm) - A resistência do canal ON é o valor da resistência do canal entre o dreno e a fonte para qualquer circuito Mosfet padrão.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Drenar corrente em NMOS: 239 Miliamperes --> 0.239 Ampere (Verifique a conversão aqui)
Resistência do Canal LIGADO: 0.02 Quilohm --> 20 Ohm (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

P_D = I_d^2*R_on --> 0.239^2*20

Avaliando ... ...

P_D = 1.14242

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.14242 Watt -->1142.42 Miliwatt (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

1142.42 Miliwatt <-- Poder Dissipado

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 17 Aprimoramento do Canal N Calculadoras

Corrente entrando na fonte de dreno na região do triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*((Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)*Tensão da Fonte de Dreno-1/2*(Tensão da Fonte de Dreno)^2)

Terminal de drenagem de entrada de corrente de NMOS dada tensão de fonte de porta

Terminal de drenagem de entrada de corrente do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*Tensão da Fonte de Dreno*(Tensão Overdrive em NMOS-1/2*Tensão da Fonte de Dreno)

Efeito Corporal em NMOS

Vai Mudança na Tensão Limiar = Tensão de limiar+Parâmetro do Processo de Fabricação*(sqrt(2*Parâmetro físico+Tensão entre Corpo e Fonte)-sqrt(2*Parâmetro físico))

NMOS como resistência linear

Vai Resistência Linear = Comprimento do Canal/(Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Capacitância de Óxido*Largura do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar))

Drenar corrente quando o NMOS opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da fonte do portão-Tensão de limiar)^2

Parâmetro do Processo de Fabricação do NMOS

Vai Parâmetro do Processo de Fabricação = sqrt(2*[Charge-e]*Concentração de Dopagem do Substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacitância de Óxido

Corrente que entra na fonte de dreno na região de saturação do NMOS dada a tensão efetiva

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão Overdrive em NMOS)^2

Fonte de Dreno de Entrada de Corrente no Limite de Saturação e Região do Triodo do NMOS

Vai Drenar corrente em NMOS = 1/2*Parâmetro de transcondutância do processo em NMOS*Largura do Canal/Comprimento do Canal*(Tensão da Fonte de Dreno)^2

Velocidade de deriva de elétrons do canal no transistor NMOS

Vai Velocidade de deriva de elétrons = Mobilidade de Elétrons na Superfície do Canal*Campo elétrico ao longo do comprimento do canal

Potência total fornecida em NMOS

Vai Fonte de alimentação = Tensão de alimentação*(Drenar corrente em NMOS+Atual)

Resistência de saída da fonte de corrente NMOS dada corrente de dreno

Vai Resistência de saída = Parâmetro do dispositivo/Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal

Corrente de dreno dada NMOS Opera como fonte de corrente controlada por tensão

Vai Parâmetro de Transcondutância = Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela

Potência total dissipada em NMOS

Vai Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO

Tensão positiva dada comprimento do canal em NMOS

Vai Tensão = Parâmetro do dispositivo*Comprimento do Canal

Capacitância de óxido de NMOS

Vai Capacitância de Óxido = (3.45*10^(-11))/Espessura De Óxido

Potência total dissipada em NMOS Fórmula

Poder Dissipado = Drenar corrente em NMOS^2*Resistência do Canal LIGADO
P_D = I_d^2*R_on

O que é potência dissipada?

A definição de dissipação de potência é o processo pelo qual um dispositivo eletrônico ou elétrico produz calor (perda ou desperdício de energia) como um derivado indesejável de sua ação primária. Como no caso das unidades centrais de processamento, a dissipação de energia é uma preocupação principal na arquitetura do computador. Além disso, a dissipação de energia em resistores é considerada um fenômeno que ocorre naturalmente. O fato é que todos os resistores que fazem parte de um circuito e têm uma queda de tensão entre eles dissiparão a energia elétrica. Além disso, essa energia elétrica se converte em energia térmica e, portanto, todos os resistores têm uma classificação (potência). Além disso, a classificação de potência de um resistor é uma classificação que parametriza a potência máxima que ele pode dissipar antes de atingir uma falha crítica.

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