Gesamte Verlustleistung in NMOS Taschenrechner

✖Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.ⓘ Drainstrom im NMOS [I_d]			+10% -10%
✖Der EIN-Kanalwiderstand ist der Kanal-Ein-Widerstandswert zwischen Drain und Source für jede Standard-MOSFET-Schaltung.ⓘ ON-Kanalwiderstand [R_on]			+10% -10%

✖Unter Verlustleistung versteht man die Energie, die in Wärme umgewandelt wird und in einem Stromkreis oder System aufgrund von Widerstand, Reibung oder anderen Formen von Energieverlust verloren geht.ⓘ Gesamte Verlustleistung in NMOS [P_D]

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Formel

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Gesamte Verlustleistung in NMOS

Formel

`"P"_{"D"} = "I"_{"d"}^2*"R"_{"on"}`

Beispiel

`"1142.42mW"=("239mA")^2*"0.02kΩ"`

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Gesamte Verlustleistung in NMOS Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand
P_D = I_d^2*R_on
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Verlustleistung - (Gemessen in Watt) - Unter Verlustleistung versteht man die Energie, die in Wärme umgewandelt wird und in einem Stromkreis oder System aufgrund von Widerstand, Reibung oder anderen Formen von Energieverlust verloren geht.
Drainstrom im NMOS - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
ON-Kanalwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der EIN-Kanalwiderstand ist der Kanal-Ein-Widerstandswert zwischen Drain und Source für jede Standard-MOSFET-Schaltung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Drainstrom im NMOS: 239 Milliampere --> 0.239 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
ON-Kanalwiderstand: 0.02 Kiloohm --> 20 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

P_D = I_d^2*R_on --> 0.239^2*20

Auswerten ... ...

P_D = 1.14242

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.14242 Watt -->1142.42 Milliwatt (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1142.42 Milliwatt <-- Verlustleistung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 17 N-Kanal-Verbesserung Taschenrechner

Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*(Drain-Quellenspannung)^2)

Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*((Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Quellenspannung-1/2*Drain-Quellenspannung^2)

Körpereffekt in NMOS

Gehen Änderung der Schwellenspannung = Grenzspannung+Herstellungsprozessparameter*(sqrt(2*Physikalischer Parameter+Spannung zwischen Körper und Quelle)-sqrt(2*Physikalischer Parameter))

Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung)

NMOS als linearer Widerstand

Gehen Linearer Widerstand = Länge des Kanals/(Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Breite des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))

Drainstrom, wenn NMOS als spannungsgesteuerte Stromquelle arbeitet

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Herstellungsprozessparameter von NMOS

Gehen Herstellungsprozessparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dotierungskonzentration des P-Substrats*[Permitivity-vacuum])/Oxidkapazität

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2

Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt

Gehen Drainstrom im NMOS = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Drain-Quellenspannung)^2

Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

Gehen Elektronendriftgeschwindigkeit = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Elektrisches Feld über die Länge des Kanals

Gelieferte Gesamtleistung in NMOS

Gehen Stromversorgung = Versorgungsspannung*(Drainstrom im NMOS+Aktuell)

Drain-Strom gegeben NMOS arbeitet als spannungsgesteuerte Stromquelle

Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter im PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis

Ausgangswiderstand der Stromquelle NMOS bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Ausgangswiderstand = Geräteparameter/Drainstrom ohne Kanallängenmodulation

Gesamte Verlustleistung in NMOS

Gehen Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand

Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS

Gehen Stromspannung = Geräteparameter*Länge des Kanals

Oxidkapazität von NMOS

Gehen Oxidkapazität = (3.45*10^(-11))/Oxiddicke

Gesamte Verlustleistung in NMOS Formel

Verlustleistung = Drainstrom im NMOS^2*ON-Kanalwiderstand
P_D = I_d^2*R_on

Was ist Verlustleistung?

Die Definition der Verlustleistung ist der Prozess, durch den ein elektronisches oder elektrisches Gerät Wärme (Energieverlust oder Abfall) als unerwünschte Ableitung seiner primären Wirkung erzeugt. Wie bei Zentraleinheiten ist die Verlustleistung ein Hauptanliegen in der Computerarchitektur. Darüber hinaus wird die Verlustleistung in Widerständen als ein natürlich vorkommendes Phänomen angesehen. Es bleibt die Tatsache, dass alle Widerstände, die Teil eines Stromkreises sind und einen Spannungsabfall aufweisen, elektrische Energie abführen. Darüber hinaus wandelt sich diese elektrische Leistung in Wärmeenergie um, und daher haben alle Widerstände eine (Leistungs-) Nennleistung. Die Nennleistung eines Widerstands ist auch eine Klassifizierung, die die maximale Leistung parametrisiert, die er verbrauchen kann, bevor er einen kritischen Fehler erreicht.

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