Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand
PD = Id^2*Ron
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Vermogen gedissipeerd - (Gemeten in Watt) - Vermogensdissipatie verwijst naar de energie die wordt omgezet in warmte en verloren gaat in een circuit of systeem door de aanwezigheid van weerstand, wrijving of andere vormen van energieverlies.
Afvoerstroom in NMOS - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom in NMOS is de elektrische stroom die van de afvoer naar de bron van een veldeffecttransistor (FET) of een metaaloxide-halfgeleider veldeffecttransistor (MOSFET) vloeit.
AAN Kanaalweerstand - (Gemeten in Ohm) - ON-kanaalweerstand is de kanaal-aan-weerstandswaarde tussen de drain en de source voor elk standaard Mosfet-circuit.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Afvoerstroom in NMOS: 239 milliampère --> 0.239 Ampère (Bekijk de conversie ​hier)
AAN Kanaalweerstand: 0.02 Kilohm --> 20 Ohm (Bekijk de conversie ​hier)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
PD = Id^2*Ron --> 0.239^2*20
Evalueren ... ...
PD = 1.14242
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
1.14242 Watt -->1142.42 Milliwatt (Bekijk de conversie ​hier)
DEFINITIEVE ANTWOORD
1142.42 Milliwatt <-- Vermogen gedissipeerd
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Creator Image
Gemaakt door Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri
Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!
Verifier Image
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

17 N-Channel-verbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)
Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)
Lichaamseffect in NMOS
​ Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))
Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)
NMOS als lineaire weerstand
​ Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))
Afvoerstroom wanneer NMOS werkt als spanningsgestuurde stroombron
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2
Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2
Fabricageprocesparameter van NMOS
​ Gaan Fabricageprocesparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dopingconcentratie van P-substraat*[Permitivity-vacuum])/Oxide capaciteit
Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning
​ Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2
Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS
​ Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2
Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor
​ Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal
Totaal geleverd vermogen in NMOS
​ Gaan Voeding geleverd = Voedingsspanning*(Afvoerstroom in NMOS+Huidig)
Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron
​ Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding
Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom
​ Gaan Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie
Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS
​ Gaan Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand
Positieve spanning gegeven kanaallengte in NMOS
​ Gaan Spanning = Apparaatparameter*Lengte van het kanaal
Oxidecapaciteit van NMOS
​ Gaan Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte

Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS Formule

Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand
PD = Id^2*Ron

Wat is stroomverspilling?

De definitie van vermogensdissipatie is het proces waarbij een elektronisch of elektrisch apparaat warmte produceert (energieverlies of afval) als een ongewenste afgeleide van zijn primaire werking. Net als bij centrale verwerkingseenheden is vermogensdissipatie een belangrijk punt van zorg in de computerarchitectuur. Bovendien wordt vermogensdissipatie in weerstanden als een natuurlijk voorkomend fenomeen beschouwd. Feit blijft dat alle weerstanden die deel uitmaken van een circuit en er een spanningsval overheen hebben, elektrisch vermogen zullen dissiperen. Bovendien wordt dit elektrische vermogen omgezet in warmte-energie, waardoor alle weerstanden een (vermogen) beoordeling hebben. Het vermogen van een weerstand is ook een classificatie die het maximale vermogen parametriseert dat het kan dissiperen voordat het een kritieke storing bereikt.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!