Potenza totale dissipata in NMOS Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale
PD = Id^2*Ron
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Potenza dissipata - (Misurato in Watt) - La potenza dissipata si riferisce all'energia che viene convertita in calore e persa in un circuito o sistema a causa della presenza di resistenza, attrito o altre forme di perdita di energia.
Assorbimento di corrente in NMOS - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
ON Resistenza del canale - (Misurato in Ohm) - La resistenza del canale ON è il valore della resistenza del canale tra drain e source per qualsiasi circuito Mosfet standard.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Assorbimento di corrente in NMOS: 239 Millampere --> 0.239 Ampere (Controlla la conversione ​qui)
ON Resistenza del canale: 0.02 Kilohm --> 20 Ohm (Controlla la conversione ​qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
PD = Id^2*Ron --> 0.239^2*20
Valutare ... ...
PD = 1.14242
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.14242 Watt -->1142.42 Milliwatt (Controlla la conversione ​qui)
RISPOSTA FINALE
1142.42 Milliwatt <-- Potenza dissipata
(Calcolo completato in 00.021 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da Payal Priya
Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri
Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)
Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*Scaricare la tensione della sorgente^2)
Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)
Effetto corpo in NMOS
​ Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))
NMOS come resistenza lineare
​ Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))
Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2
Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2
Parametro del processo di fabbricazione di NMOS
​ Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido
Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS
​ Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2
Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva
​ Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2
Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS
​ Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
Potenza totale fornita in NMOS
​ Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)
Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico
​ Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale
Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione
​ Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni
Potenza totale dissipata in NMOS
​ Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale
Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS
​ Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale
Capacità di ossido di NMOS
​ Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Potenza totale dissipata in NMOS Formula

Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale
PD = Id^2*Ron

Qual è la potenza dissipata?

La definizione di dissipazione di potenza è il processo mediante il quale un dispositivo elettronico o elettrico produce calore (perdita o spreco di energia) come derivato indesiderato della sua azione primaria. Come nel caso delle unità di elaborazione centrale, la dissipazione di potenza è una delle principali preoccupazioni nell'architettura dei computer. Inoltre, la dissipazione di potenza nei resistori è considerata un fenomeno naturale. Resta il fatto che tutti i resistori che fanno parte di un circuito e hanno una caduta di tensione su di essi dissiperanno energia elettrica. Inoltre, questa potenza elettrica si converte in energia termica, e quindi tutte le resistenze hanno una valutazione (potenza). Inoltre, la potenza nominale di un resistore è una classificazione che parametrizza la potenza massima che può dissipare prima che raggiunga un guasto critico.

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