छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश
प्रयुक्त सूत्र
छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व = [Charge-e]*छिद्र एकाग्रता*छेद गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei
यह सूत्र 1 स्थिरांक, 4 वेरिएबल का उपयोग करता है
लगातार इस्तेमाल किया
[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश मान लिया गया 1.60217662E-19
चर
छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व - (में मापा गया एम्पीयर प्रति वर्ग मीटर) - छिद्रों के कारण प्रवाहित धारा घनत्व, विद्युत क्षेत्र के प्रभाव में अर्धचालक पदार्थ में आवेश वाहकों (छिद्रों) की गति को संदर्भित करता है।
छिद्र एकाग्रता - (में मापा गया प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन) - होल सांद्रण किसी सामग्री में प्रति इकाई आयतन इलेक्ट्रॉनों की संख्या को संदर्भित करता है।
छेद गतिशीलता - (में मापा गया वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड) - होल मोबिलिटी एक विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में स्थानांतरित होने के लिए इन चार्ज वाहकों की क्षमता का प्रतिनिधित्व करती है।
विद्युत क्षेत्र की तीव्रता - (में मापा गया वोल्ट प्रति मीटर) - विद्युत क्षेत्र की तीव्रता एक वेक्टर मात्रा है जो अन्य आवेशों की उपस्थिति के कारण अंतरिक्ष में किसी दिए गए बिंदु पर एक सकारात्मक परीक्षण आवेश द्वारा अनुभव किए गए बल का प्रतिनिधित्व करती है।
चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें
छिद्र एकाग्रता: 1E+20 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन --> 1E+20 प्रति घन मीटर इलेक्ट्रॉन कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
छेद गतिशीलता: 400 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड --> 400 वर्ग मीटर प्रति वोल्ट प्रति सेकंड कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
विद्युत क्षेत्र की तीव्रता: 11.2 वोल्ट प्रति मीटर --> 11.2 वोल्ट प्रति मीटर कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें
फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2
मूल्यांकन हो रहा है ... ...
Jp = 71777.512576
चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें
71777.512576 एम्पीयर प्रति वर्ग मीटर -->0.071777512576 एम्पीयर प्रति वर्ग मिलीमीटर (रूपांतरण की जाँच करें ​यहाँ)
आख़री जवाब
0.071777512576 0.071778 एम्पीयर प्रति वर्ग मिलीमीटर <-- छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व
(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

क्रेडिट

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के द्वारा बनाई गई भानुप्रकाश
दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बैंगलोर
भानुप्रकाश ने इस कैलकुलेटर और 50+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!
Verifier Image
के द्वारा सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर
संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

15 एमओएस आईसी निर्माण कैलक्युलेटर्स

स्विचिंग प्वाइंट वोल्टेज
​ जाओ स्विचिंग प्वाइंट वोल्टेज = (वोल्टेज आपूर्ति+पीएमओएस थ्रेसहोल्ड वोल्टेज+एनएमओएस थ्रेसहोल्ड वोल्टेज*sqrt(एनएमओएस ट्रांजिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रांजिस्टर लाभ))/(1+sqrt(एनएमओएस ट्रांजिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रांजिस्टर लाभ))
MOSFET में शारीरिक प्रभाव
​ जाओ सब्सट्रेट के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज = शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज+शारीरिक प्रभाव पैरामीटर*(sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता+शरीर पर लागू वोल्टेज)-sqrt(2*थोक फर्मी क्षमता))
दाता डोपेंट एकाग्रता
​ जाओ दाता डोपेंट एकाग्रता = (संतृप्ति धारा*ट्रांजिस्टर की लंबाई)/([Charge-e]*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*ह्रास परत धारिता)
संतृप्ति क्षेत्र में MOSFET का ड्रेन करंट
​ जाओ नाली का करंट = ट्रांसकंडक्टेंस पैरामीटर/2*(गेट स्रोत वोल्टेज-शून्य बॉडी बायस के साथ थ्रेसहोल्ड वोल्टेज)^2*(1+चैनल लंबाई मॉड्यूलेशन फैक्टर*नाली स्रोत वोल्टेज)
स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता
​ जाओ स्वीकर्ता डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रांजिस्टर की लंबाई*ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*[Charge-e]*छेद गतिशीलता*ह्रास परत धारिता)
अधिकतम डोपेंट सांद्रण
​ जाओ अधिकतम डोपेंट सांद्रण = संदर्भ एकाग्रता*exp(-ठोस घुलनशीलता के लिए सक्रियण ऊर्जा/([BoltZ]*निरपेक्ष तापमान))
प्रचार-प्रसार का समय
​ जाओ प्रचार-प्रसार का समय = 0.7*पास ट्रांजिस्टर की संख्या*((पास ट्रांजिस्टर की संख्या+1)/2)*MOSFET में प्रतिरोध*लोड कैपेसिटेंस
मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व
​ जाओ इलेक्ट्रॉनों के कारण बहाव धारा घनत्व = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता
छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व
​ जाओ छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व = [Charge-e]*छिद्र एकाग्रता*छेद गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता
चैनल प्रतिरोध
​ जाओ चैनल प्रतिरोध = ट्रांजिस्टर की लंबाई/ट्रांजिस्टर की चौड़ाई*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनत्व)
MOSFET एकता-लाभ आवृत्ति
​ जाओ MOSFET में यूनिटी गेन आवृत्ति = MOSFET में ट्रांसकंडक्टन्स/(गेट स्रोत धारिता+गेट ड्रेन कैपेसिटेंस)
महत्वपूर्ण आयाम
​ जाओ महत्वपूर्ण आयाम = प्रक्रिया पर निर्भर स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/संख्यात्मक छिद्र
फोकस की गहराई
​ जाओ फोकस की गहराई = आनुपातिकता कारक*फोटोलिथोग्राफी में तरंग दैर्ध्य/(संख्यात्मक छिद्र^2)
प्रति वफ़र मरो
​ जाओ प्रति वफ़र मरो = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक पासे का आकार)
समतुल्य ऑक्साइड मोटाई
​ जाओ समतुल्य ऑक्साइड मोटाई = सामग्री की मोटाई*(3.9/सामग्री का ढांकता हुआ स्थिरांक)

छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व सूत्र

छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व = [Charge-e]*छिद्र एकाग्रता*छेद गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता
Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei

छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व की गणना कैसे करें?

छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया छिद्र एकाग्रता (p), होल सांद्रण किसी सामग्री में प्रति इकाई आयतन इलेक्ट्रॉनों की संख्या को संदर्भित करता है। के रूप में, छेद गतिशीलता (μp), होल मोबिलिटी एक विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में स्थानांतरित होने के लिए इन चार्ज वाहकों की क्षमता का प्रतिनिधित्व करती है। के रूप में & विद्युत क्षेत्र की तीव्रता (Ei), विद्युत क्षेत्र की तीव्रता एक वेक्टर मात्रा है जो अन्य आवेशों की उपस्थिति के कारण अंतरिक्ष में किसी दिए गए बिंदु पर एक सकारात्मक परीक्षण आवेश द्वारा अनुभव किए गए बल का प्रतिनिधित्व करती है। के रूप में डालें। कृपया छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व गणना

छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व कैलकुलेटर, छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व की गणना करने के लिए Drift Current Density due to Holes = [Charge-e]*छिद्र एकाग्रता*छेद गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता का उपयोग करता है। छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व Jp को छेद सूत्र के कारण बहाव धारा घनत्व को अर्धचालक में समग्र बहाव धारा घनत्व में छेद के योगदान के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 7.2E-8 = [Charge-e]*1E+20*400*11.2. आप और अधिक छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व क्या है?
छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व छेद सूत्र के कारण बहाव धारा घनत्व को अर्धचालक में समग्र बहाव धारा घनत्व में छेद के योगदान के रूप में परिभाषित किया गया है। है और इसे Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei या Drift Current Density due to Holes = [Charge-e]*छिद्र एकाग्रता*छेद गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता के रूप में दर्शाया जाता है।
छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व की गणना कैसे करें?
छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व को छेद सूत्र के कारण बहाव धारा घनत्व को अर्धचालक में समग्र बहाव धारा घनत्व में छेद के योगदान के रूप में परिभाषित किया गया है। Drift Current Density due to Holes = [Charge-e]*छिद्र एकाग्रता*छेद गतिशीलता*विद्युत क्षेत्र की तीव्रता Jp = [Charge-e]*p*μp*Ei के रूप में परिभाषित किया गया है। छिद्रों के कारण बहाव धारा घनत्व की गणना करने के लिए, आपको छिद्र एकाग्रता (p), छेद गतिशीलता p) & विद्युत क्षेत्र की तीव्रता (Ei) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको होल सांद्रण किसी सामग्री में प्रति इकाई आयतन इलेक्ट्रॉनों की संख्या को संदर्भित करता है।, होल मोबिलिटी एक विद्युत क्षेत्र की प्रतिक्रिया में स्थानांतरित होने के लिए इन चार्ज वाहकों की क्षमता का प्रतिनिधित्व करती है। & विद्युत क्षेत्र की तीव्रता एक वेक्टर मात्रा है जो अन्य आवेशों की उपस्थिति के कारण अंतरिक्ष में किसी दिए गए बिंदु पर एक सकारात्मक परीक्षण आवेश द्वारा अनुभव किए गए बल का प्रतिनिधित्व करती है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।
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