Calculadora Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

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✖La concentración de huecos se refiere al número de electrones por unidad de volumen en un material.ⓘ Concentración de agujeros [p]			+10% -10%
✖La movilidad de los agujeros representa la capacidad de estos portadores de carga para moverse en respuesta a un campo eléctrico.ⓘ Movilidad del agujero [μ_p]			+10% -10%
✖La intensidad del campo eléctrico es una cantidad vectorial que representa la fuerza experimentada por una carga de prueba positiva en un punto determinado del espacio debido a la presencia de otras cargas.ⓘ Intensidad del campo eléctrico [E_i]			+10% -10%

✖La densidad de corriente de deriva debido a los agujeros se refiere al movimiento de los portadores de carga (agujeros) en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.ⓘ Densidad de corriente de deriva debido a agujeros [J_p]

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Fórmula

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Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Fórmula

`"J"_{"p"} = "[Charge-e]"*"p"*"μ"_{"p"}*"E"_{"i"}`

Ejemplo

`"0.071778A/mm²"="[Charge-e]"*"1E^20electrons/m³"*"400m²/V*s"*"11.2V/m"`

Calculadora

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Densidad de corriente de deriva debido a agujeros Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19

Variables utilizadas

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros - (Medido en Amperio por metro cuadrado) - La densidad de corriente de deriva debido a los agujeros se refiere al movimiento de los portadores de carga (agujeros) en un material semiconductor bajo la influencia de un campo eléctrico.
Concentración de agujeros - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de huecos se refiere al número de electrones por unidad de volumen en un material.
Movilidad del agujero - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los agujeros representa la capacidad de estos portadores de carga para moverse en respuesta a un campo eléctrico.
Intensidad del campo eléctrico - (Medido en voltios por metro) - La intensidad del campo eléctrico es una cantidad vectorial que representa la fuerza experimentada por una carga de prueba positiva en un punto determinado del espacio debido a la presencia de otras cargas.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de agujeros: 1E+20 Electrones por metro cúbico --> 1E+20 Electrones por metro cúbico No se requiere conversión
Movilidad del agujero: 400 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 400 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Intensidad del campo eléctrico: 11.2 voltios por metro --> 11.2 voltios por metro No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2

Evaluar ... ...

J_p = 71777.512576

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

71777.512576 Amperio por metro cuadrado -->0.071777512576 Amperio por milímetro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.071777512576 ≈ 0.071778 Amperio por milímetro cuadrado <-- Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 15 Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Voltaje del punto de conmutación

Vamos Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))

Efecto corporal en MOSFET

Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Concentración de dopante del donante

Vamos Concentración de dopante del donante = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Concentración de dopante aceptor

Vamos Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Concentración máxima de dopante

Vamos Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico

Tiempo de propagación

Vamos Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Profundidad de enfoque

Vamos Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)

Dimensión crítica

Vamos Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica

Troquel por oblea

Vamos Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)

Espesor de óxido equivalente

Vamos Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros Fórmula

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i

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