Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Gatenconcentratie verwijst naar het aantal elektronen per volume-eenheid in een materiaal.ⓘ Gatenconcentratie [p]			+10% -10%
✖Hole Mobility vertegenwoordigt het vermogen van deze ladingsdragers om te bewegen als reactie op een elektrisch veld.ⓘ Gatenmobiliteit [μ_p]			+10% -10%
✖De elektrische veldintensiteit is een vectorgrootheid die de kracht vertegenwoordigt die wordt ervaren door een positieve testlading op een bepaald punt in de ruimte als gevolg van de aanwezigheid van andere ladingen.ⓘ Elektrische veldintensiteit [E_i]			+10% -10%

✖Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten verwijst naar de beweging van ladingsdragers (gaten) in een halfgeleidermateriaal onder invloed van een elektrisch veld.ⓘ Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten [J_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Formule

`"J"_{"p"} = "[Charge-e]"*"p"*"μ"_{"p"}*"E"_{"i"}`

Voorbeeld

`"0.071778A/mm²"="[Charge-e]"*"1E^20electrons/m³"*"400m²/V*s"*"11.2V/m"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Variabelen gebruikt

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten - (Gemeten in Ampère per vierkante meter) - Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten verwijst naar de beweging van ladingsdragers (gaten) in een halfgeleidermateriaal onder invloed van een elektrisch veld.
Gatenconcentratie - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Gatenconcentratie verwijst naar het aantal elektronen per volume-eenheid in een materiaal.
Gatenmobiliteit - (Gemeten in Vierkante meter per volt per seconde) - Hole Mobility vertegenwoordigt het vermogen van deze ladingsdragers om te bewegen als reactie op een elektrisch veld.
Elektrische veldintensiteit - (Gemeten in Volt per meter) - De elektrische veldintensiteit is een vectorgrootheid die de kracht vertegenwoordigt die wordt ervaren door een positieve testlading op een bepaald punt in de ruimte als gevolg van de aanwezigheid van andere ladingen.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Gatenconcentratie: 1E+20 Elektronen per kubieke meter --> 1E+20 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Gatenmobiliteit: 400 Vierkante meter per volt per seconde --> 400 Vierkante meter per volt per seconde Geen conversie vereist
Elektrische veldintensiteit: 11.2 Volt per meter --> 11.2 Volt per meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2

Evalueren ... ...

J_p = 71777.512576

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

71777.512576 Ampère per vierkante meter -->0.071777512576 Ampère per vierkante millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.071777512576 ≈ 0.071778 Ampère per vierkante millimeter <-- Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten Formule

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!