Deriva della densità di corrente dovuta ai fori calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Trigger di Schmitt

✖La concentrazione dei fori si riferisce al numero di elettroni per unità di volume in un materiale.ⓘ Concentrazione dei fori [p]			+10% -10%
✖La mobilità dei fori rappresenta la capacità di questi portatori di carica di muoversi in risposta a un campo elettrico.ⓘ Mobilità dei fori [μ_p]			+10% -10%
✖L'intensità del campo elettrico è una quantità vettoriale che rappresenta la forza subita da una carica di prova positiva in un dato punto dello spazio a causa della presenza di altre cariche.ⓘ Intensità del campo elettrico [E_i]			+10% -10%

✖La deriva della densità di corrente dovuta ai fori si riferisce al movimento dei portatori di carica (fori) in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico.ⓘ Deriva della densità di corrente dovuta ai fori [J_p]

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Formula

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Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

Formula

`"J"_{"p"} = "[Charge-e]"*"p"*"μ"_{"p"}*"E"_{"i"}`

Esempio

`"0.071778A/mm²"="[Charge-e]"*"1E^20electrons/m³"*"400m²/V*s"*"11.2V/m"`

Calcolatrice

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Deriva della densità di corrente dovuta ai fori Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

[Charge-e] - Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19

Variabili utilizzate

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori - (Misurato in Ampere per metro quadrato) - La deriva della densità di corrente dovuta ai fori si riferisce al movimento dei portatori di carica (fori) in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico.
Concentrazione dei fori - (Misurato in Elettroni per metro cubo) - La concentrazione dei fori si riferisce al numero di elettroni per unità di volume in un materiale.
Mobilità dei fori - (Misurato in Metro quadrato per Volt al secondo) - La mobilità dei fori rappresenta la capacità di questi portatori di carica di muoversi in risposta a un campo elettrico.
Intensità del campo elettrico - (Misurato in Volt per metro) - L'intensità del campo elettrico è una quantità vettoriale che rappresenta la forza subita da una carica di prova positiva in un dato punto dello spazio a causa della presenza di altre cariche.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Concentrazione dei fori: 1E+20 Elettroni per metro cubo --> 1E+20 Elettroni per metro cubo Nessuna conversione richiesta
Mobilità dei fori: 400 Metro quadrato per Volt al secondo --> 400 Metro quadrato per Volt al secondo Nessuna conversione richiesta
Intensità del campo elettrico: 11.2 Volt per metro --> 11.2 Volt per metro Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2

Valutare ... ...

J_p = 71777.512576

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

71777.512576 Ampere per metro quadrato -->0.071777512576 Ampere per millimetro quadrato (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.071777512576 ≈ 0.071778 Ampere per millimetro quadrato <-- Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Tensione del punto di commutazione

Partire Tensione del punto di commutazione = (Tensione di alimentazione+Tensione di soglia PMOS+Tensione di soglia NMOS*sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))/(1+sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))

Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Concentrazione del drogante del donatore

Partire Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione del drogante accettore

Partire Concentrazione del drogante accettore = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione massima di drogante

Partire Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi

Partire Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità elettronica*Intensità del campo elettrico

Tempo di propagazione

Partire Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

Partire Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Profondità di messa a fuoco

Partire Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)

Dimensione critica

Partire Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica

Muori per wafer

Partire Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)

Spessore equivalente dell'ossido

Partire Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori Formula

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i

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