Плотность дрейфового тока из-за дырок Калькулятор

✖Концентрация дырок относится к количеству электронов в единице объема материала.ⓘ Концентрация дырок [p]			+10% -10%
✖Подвижность дырок представляет собой способность этих носителей заряда перемещаться в ответ на электрическое поле.ⓘ Мобильность отверстий [μ_p]			+10% -10%
✖Интенсивность электрического поля — это векторная величина, которая представляет собой силу, испытываемую положительным пробным зарядом в данной точке пространства из-за присутствия других зарядов.ⓘ Напряженность электрического поля [E_i]			+10% -10%

✖Плотность дрейфового тока из-за дырок относится к движению носителей заряда (дырок) в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля.ⓘ Плотность дрейфового тока из-за дырок [J_p]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Формула

`"J"_{"p"} = "[Charge-e]"*"p"*"μ"_{"p"}*"E"_{"i"}`

Пример

`"0.071778A/mm²"="[Charge-e]"*"1E^20electrons/m³"*"400m²/V*s"*"11.2V/m"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Плотность дрейфового тока из-за дырок Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Плотность дрейфового тока из-за дырок - (Измеряется в Ампер на квадратный метр) - Плотность дрейфового тока из-за дырок относится к движению носителей заряда (дырок) в полупроводниковом материале под воздействием электрического поля.
Концентрация дырок - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Концентрация дырок относится к количеству электронов в единице объема материала.
Мобильность отверстий - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность дырок представляет собой способность этих носителей заряда перемещаться в ответ на электрическое поле.
Напряженность электрического поля - (Измеряется в Вольт на метр) - Интенсивность электрического поля — это векторная величина, которая представляет собой силу, испытываемую положительным пробным зарядом в данной точке пространства из-за присутствия других зарядов.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Концентрация дырок: 1E+20 Электронов на кубический метр --> 1E+20 Электронов на кубический метр Конверсия не требуется
Мобильность отверстий: 400 Квадратный метр на вольт в секунду --> 400 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Напряженность электрического поля: 11.2 Вольт на метр --> 11.2 Вольт на метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i --> [Charge-e]*1E+20*400*11.2

Оценка ... ...

J_p = 71777.512576

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

71777.512576 Ампер на квадратный метр -->0.071777512576 Ампер на квадратный миллиметр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.071777512576 ≈ 0.071778 Ампер на квадратный миллиметр <-- Плотность дрейфового тока из-за дырок

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Плотность дрейфового тока из-за дырок

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Плотность дрейфового тока из-за дырок формула

Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля
J_p = [Charge-e]*p*μ_p*E_i

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!