स्रोत प्रसार की चौड़ाई कैलकुलेटर

✖स्रोत प्रसार के क्षेत्र को स्रोत द्वार में उच्च सांद्रता वाले क्षेत्र से कम सांद्रता वाले क्षेत्र तक किसी भी चीज़ की शुद्ध गति के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ स्रोत प्रसार का क्षेत्र [A_s]			+10% -10%
✖स्रोत की लंबाई को MOSFET के स्रोत जंक्शन पर देखी गई कुल लंबाई के रूप में परिभाषित किया गया है।ⓘ स्रोत की लंबाई [D_s]			+10% -10%

✖संक्रमण चौड़ाई को नाली-से-स्रोत वोल्टेज बढ़ने पर चौड़ाई में वृद्धि के रूप में परिभाषित किया गया है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रायोड क्षेत्र संतृप्ति क्षेत्र में परिवर्तित हो जाता है।ⓘ स्रोत प्रसार की चौड़ाई [W]

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सूत्र

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स्रोत प्रसार की चौड़ाई

सूत्र

`"W" = "A"_{"s"}/"D"_{"s"}`

उदाहरण

`"89.81967mm"="5479mm²"/"61mm"`

कैलकुलेटर

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स्रोत प्रसार की चौड़ाई उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

संक्रमण चौड़ाई = स्रोत प्रसार का क्षेत्र/स्रोत की लंबाई
W = A_s/D_s
यह सूत्र 3 वेरिएबल का उपयोग करता है

चर

संक्रमण चौड़ाई - (में मापा गया मीटर) - संक्रमण चौड़ाई को नाली-से-स्रोत वोल्टेज बढ़ने पर चौड़ाई में वृद्धि के रूप में परिभाषित किया गया है, जिसके परिणामस्वरूप ट्रायोड क्षेत्र संतृप्ति क्षेत्र में परिवर्तित हो जाता है।
स्रोत प्रसार का क्षेत्र - (में मापा गया वर्ग मीटर) - स्रोत प्रसार के क्षेत्र को स्रोत द्वार में उच्च सांद्रता वाले क्षेत्र से कम सांद्रता वाले क्षेत्र तक किसी भी चीज़ की शुद्ध गति के रूप में परिभाषित किया गया है।
स्रोत की लंबाई - (में मापा गया मीटर) - स्रोत की लंबाई को MOSFET के स्रोत जंक्शन पर देखी गई कुल लंबाई के रूप में परिभाषित किया गया है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

स्रोत प्रसार का क्षेत्र: 5479 वर्ग मिलीमीटर --> 0.005479 वर्ग मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
स्रोत की लंबाई: 61 मिलीमीटर --> 0.061 मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

W = A_s/D_s --> 0.005479/0.061

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

W = 0.0898196721311476

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.0898196721311476 मीटर -->89.8196721311476 मिलीमीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

आख़री जवाब

89.8196721311476 ≈ 89.81967 मिलीमीटर <-- संक्रमण चौड़ाई

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रानिक्स » सीएमओएस डिज़ाइन और अनुप्रयोग » सीएमओएस सर्किट विशेषताएँ » स्रोत प्रसार की चौड़ाई

क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई शोभित डिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ प्रौद्योगिकी संस्थान (BTKIT), द्वाराहाट

शोभित डिमरी ने इस कैलकुलेटर और 900+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित उर्वी राठौड़

विश्वकर्मा गवर्नमेंट इंजीनियरिंग कॉलेज (वीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठौड़ ने इस कैलकुलेटर और 1900+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 15 सीएमओएस सर्किट विशेषताएँ कैलक्युलेटर्स

CMOS में प्रभावी क्षमता

जाओ CMOS में प्रभावी समाई = साइकिल शुल्क*(ऑफ करंट*(10^(बेस कलेक्टर वोल्टेज)))/(क्रिटिकल पाथ पर गेट्स*[BoltZ]*बेस कलेक्टर वोल्टेज)

ऑक्साइड परत की पारगम्यता

जाओ ऑक्साइड परत की पारगम्यता = ऑक्साइड परत की मोटाई*इनपुट गेट कैपेसिटेंस/(गेट की चौड़ाई*गेट की लंबाई)

ऑक्साइड परत की मोटाई

जाओ ऑक्साइड परत की मोटाई = ऑक्साइड परत की पारगम्यता*गेट की चौड़ाई*गेट की लंबाई/इनपुट गेट कैपेसिटेंस

गेट की चौड़ाई

जाओ गेट की चौड़ाई = इनपुट गेट कैपेसिटेंस/(गेट ऑक्साइड परत की धारिता*गेट की लंबाई)

सीएमओएस क्रिटिकल वोल्टेज

जाओ सीएमओएस में क्रिटिकल वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*मुक्त पथ मतलब

CMOS का मतलब फ्री पाथ है

जाओ मुक्त पथ मतलब = सीएमओएस में क्रिटिकल वोल्टेज/क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड

स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि

जाओ स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि = (2*संक्रमण चौड़ाई)+(2*स्रोत की लंबाई)

क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड

जाओ क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड = (2*वेग संतृप्ति)/इलेक्ट्रॉन की गतिशीलता

CMOS की संक्रमण चौड़ाई

जाओ संक्रमण चौड़ाई = एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस/एमओएस गेट कैपेसिटेंस

पीएन जंक्शन की लंबाई

जाओ पीएन जंक्शन की लंबाई = ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई+प्रभावी चैनल लंबाई

कमी क्षेत्र चौड़ाई

जाओ ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई = पीएन जंक्शन की लंबाई-प्रभावी चैनल लंबाई

प्रभावी चैनल लंबाई

जाओ प्रभावी चैनल लंबाई = पीएन जंक्शन की लंबाई-ह्रास क्षेत्र की चौड़ाई

न्यूनतम ईडीपी पर वोल्टेज

जाओ न्यूनतम ईडीपी पर वोल्टेज = (3*सीमा वोल्टेज)/(3-गतिविधि कारक)

स्रोत प्रसार का क्षेत्र

जाओ स्रोत प्रसार का क्षेत्र = स्रोत की लंबाई*संक्रमण चौड़ाई

स्रोत प्रसार की चौड़ाई

जाओ संक्रमण चौड़ाई = स्रोत प्रसार का क्षेत्र/स्रोत की लंबाई

स्रोत प्रसार की चौड़ाई सूत्र

संक्रमण चौड़ाई = स्रोत प्रसार का क्षेत्र/स्रोत की लंबाई
W = A_s/D_s

स्रोत प्रसार के अनुप्रयोग क्या हैं?

स्रोत प्रसार सीएमओएस प्रौद्योगिकी में कई अनुप्रयोगों के साथ एक महत्वपूर्ण प्रक्रिया है। इसका उपयोग ट्रांजिस्टर के आयामों को कम करने, संगत सर्किट के प्रदर्शन में सुधार करने और चिप्स की समग्र गति को बढ़ाने के लिए किया जाता है। इसके अलावा, स्रोत प्रसार एक चिप पर कई ट्रांजिस्टर के एकीकरण की सुविधा प्रदान करता है, जिससे जटिल और उच्च-घनत्व एकीकृत सर्किट का निर्माण संभव हो जाता है।

स्रोत प्रसार की चौड़ाई की गणना कैसे करें?

स्रोत प्रसार की चौड़ाई के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया स्रोत प्रसार का क्षेत्र (A_s), स्रोत प्रसार के क्षेत्र को स्रोत द्वार में उच्च सांद्रता वाले क्षेत्र से कम सांद्रता वाले क्षेत्र तक किसी भी चीज़ की शुद्ध गति के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में & स्रोत की लंबाई (D_s), स्रोत की लंबाई को MOSFET के स्रोत जंक्शन पर देखी गई कुल लंबाई के रूप में परिभाषित किया गया है। के रूप में डालें। कृपया स्रोत प्रसार की चौड़ाई गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

स्रोत प्रसार की चौड़ाई गणना

स्रोत प्रसार की चौड़ाई कैलकुलेटर, संक्रमण चौड़ाई की गणना करने के लिए Transition Width = स्रोत प्रसार का क्षेत्र/स्रोत की लंबाई का उपयोग करता है। स्रोत प्रसार की चौड़ाई W को स्रोत प्रसार की चौड़ाई (डब्ल्यू) सूत्र को स्रोत प्रसार की कुल चौड़ाई के रूप में परिभाषित किया गया है। इसे आमतौर पर संक्रमण चौड़ाई के रूप में जाना जाता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ स्रोत प्रसार की चौड़ाई गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 898.1967 = 0.005479/0.061. आप और अधिक स्रोत प्रसार की चौड़ाई उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

स्रोत प्रसार की चौड़ाई क्या है?

स्रोत प्रसार की चौड़ाई स्रोत प्रसार की चौड़ाई (डब्ल्यू) सूत्र को स्रोत प्रसार की कुल चौड़ाई के रूप में परिभाषित किया गया है। इसे आमतौर पर संक्रमण चौड़ाई के रूप में जाना जाता है। है और इसे W = A_s/D_s या Transition Width = स्रोत प्रसार का क्षेत्र/स्रोत की लंबाई के रूप में दर्शाया जाता है।

स्रोत प्रसार की चौड़ाई की गणना कैसे करें?

स्रोत प्रसार की चौड़ाई को स्रोत प्रसार की चौड़ाई (डब्ल्यू) सूत्र को स्रोत प्रसार की कुल चौड़ाई के रूप में परिभाषित किया गया है। इसे आमतौर पर संक्रमण चौड़ाई के रूप में जाना जाता है। Transition Width = स्रोत प्रसार का क्षेत्र/स्रोत की लंबाई W = A_s/D_s के रूप में परिभाषित किया गया है। स्रोत प्रसार की चौड़ाई की गणना करने के लिए, आपको स्रोत प्रसार का क्षेत्र (A_s) & स्रोत की लंबाई (D_s) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको स्रोत प्रसार के क्षेत्र को स्रोत द्वार में उच्च सांद्रता वाले क्षेत्र से कम सांद्रता वाले क्षेत्र तक किसी भी चीज़ की शुद्ध गति के रूप में परिभाषित किया गया है। & स्रोत की लंबाई को MOSFET के स्रोत जंक्शन पर देखी गई कुल लंबाई के रूप में परिभाषित किया गया है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

संक्रमण चौड़ाई की गणना करने के कितने तरीके हैं?

संक्रमण चौड़ाई स्रोत प्रसार का क्षेत्र (A_s) & स्रोत की लंबाई (D_s) का उपयोग करता है। हम गणना करने के 1 अन्य तरीकों का उपयोग कर सकते हैं, जो इस प्रकार हैं -

संक्रमण चौड़ाई = एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस/एमओएस गेट कैपेसिटेंस

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