Lunghezza giunzione PN Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Lpn = Ld+Leff
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Lunghezza giunzione PN - (Misurato in metro) - La lunghezza della giunzione PN è definita come la lunghezza totale della giunzione dal lato p al lato n in un semiconduttore.
Larghezza della regione di esaurimento - (Misurato in metro) - La larghezza della regione di svuotamento in un tipico diodo Si varia da una frazione di micrometro a decine di micrometri a seconda della geometria del dispositivo, del profilo di drogaggio e della polarizzazione esterna.
Lunghezza effettiva del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza effettiva del canale è definita come il percorso che collega i portatori di carica tra il drain e la source.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Larghezza della regione di esaurimento: 11.01 Millimetro --> 0.01101 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza effettiva del canale: 8 Millimetro --> 0.008 metro (Controlla la conversione qui)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Lpn = Ld+Leff --> 0.01101+0.008
Valutare ... ...
Lpn = 0.01901
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.01901 metro -->19.01 Millimetro (Controlla la conversione qui)
RISPOSTA FINALE
19.01 Millimetro <-- Lunghezza giunzione PN
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS
Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Permittività dello strato di ossido
Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Spessore dello strato di ossido
Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
Larghezza del cancello
Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Larghezza della regione di svuotamento
Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale
Lunghezza effettiva del canale
Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento
Lunghezza giunzione PN
Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Larghezza di transizione del CMOS
Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
Larghezza della diffusione della sorgente
Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
Campo elettrico critico
Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone
CMOS percorso libero medio
Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
Tensione al minimo EDP
Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Lunghezza giunzione PN Formula

Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Lpn = Ld+Leff

Cos'è la conduzione sottosoglia?

La conduzione sottosoglia o la dispersione sottosoglia o la corrente di drenaggio sottosoglia è la corrente tra la sorgente e il drenaggio di un MOSFET quando il transistor si trova nella regione della sottosoglia, o regione di inversione debole, cioè per tensioni gate-to-source al di sotto della tensione di soglia.

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