Longueur de jonction PN Calculatrice

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✖La largeur de la région d'appauvrissement dans une diode Si typique varie d'une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe.ⓘ Largeur de la région d'épuisement [L_d]			+10% -10%
✖La longueur effective du canal est définie comme le chemin qui relie les porteurs de charge entre le drain et la source.ⓘ Longueur effective du canal [L_eff]			+10% -10%

✖La longueur de jonction PN est définie comme la longueur totale de la jonction du côté p au côté n dans un semi-conducteur.ⓘ Longueur de jonction PN [L_pn]

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Formule

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Longueur de jonction PN

Formule

`"L"_{"pn"} = "L"_{"d"}+"L"_{"eff"}`

Exemple

`"19.01mm"="11.01mm"+"8mm"`

Calculatrice

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Longueur de jonction PN Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal
L_pn = L_d+L_eff
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Longueur de jonction PN - (Mesuré en Mètre) - La longueur de jonction PN est définie comme la longueur totale de la jonction du côté p au côté n dans un semi-conducteur.
Largeur de la région d'épuisement - (Mesuré en Mètre) - La largeur de la région d'appauvrissement dans une diode Si typique varie d'une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe.
Longueur effective du canal - (Mesuré en Mètre) - La longueur effective du canal est définie comme le chemin qui relie les porteurs de charge entre le drain et la source.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Largeur de la région d'épuisement: 11.01 Millimètre --> 0.01101 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Longueur effective du canal: 8 Millimètre --> 0.008 Mètre (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

L_pn = L_d+L_eff --> 0.01101+0.008

Évaluer ... ...

L_pn = 0.01901

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.01901 Mètre -->19.01 Millimètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

19.01 Millimètre <-- Longueur de jonction PN

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS

Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)

Permittivité de la couche d'oxyde

Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Épaisseur de la couche d'oxyde

Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée

Largeur de la porte

Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)

Largeur de la région d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal

Largeur de transition du CMOS

Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS

Longueur effective du canal

Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal

Champ électrique critique

Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron

Largeur de diffusion de la source

Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source

Zone de diffusion de la source

Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition

CMOS Moyenne Parcours Libre

Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique

Tension critique CMOS

Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Tension au minimum EDP

Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

Longueur de jonction PN Formule

Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal
L_pn = L_d+L_eff

Qu'est-ce que la conduction sous-seuil?

La conduction sous-seuil ou la fuite sous-seuil ou le courant de drain sous-seuil est le courant entre la source et le drain d'un MOSFET lorsque le transistor est dans la région sous-seuil, ou dans la région à faible inversion, c'est-à-dire pour les tensions grille-source inférieures à la tension de seuil.

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