PN-verbindingslengte Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Kenmerken van CMOS-circuits

Array Datapath-subsysteem

CMOS-omvormers

CMOS-ontwerpkenmerken

CMOS-subsysteem voor speciale doeleinden

CMOS-tijdkenmerken

CMOS-vermogensstatistieken

Kenmerken van CMOS-vertraging

✖De breedte van het uitputtingsgebied in een typische Si-diode varieert van een fractie van een micrometer tot tientallen micrometers, afhankelijk van de geometrie van het apparaat, het dopingprofiel en de externe bias.ⓘ Breedte uitputtingsregio [L_d]			+10% -10%
✖Effectieve kanaallengte wordt gedefinieerd als het pad dat de ladingsdragers verbindt tussen de afvoer en de bron.ⓘ Effectieve kanaallengte [L_eff]			+10% -10%

✖PN-verbindingslengte wordt gedefinieerd als de totale lengte van de junctie van p-zijde tot n-zijde in een halfgeleider.ⓘ PN-verbindingslengte [L_pn]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

PN-verbindingslengte

Formule

`"L"_{"pn"} = "L"_{"d"}+"L"_{"eff"}`

Voorbeeld

`"19.01mm"="11.01mm"+"8mm"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Kenmerken van CMOS-circuits Formules Pdf PDF Image

PN-verbindingslengte Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte
L_pn = L_d+L_eff
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

PN-verbindingslengte - (Gemeten in Meter) - PN-verbindingslengte wordt gedefinieerd als de totale lengte van de junctie van p-zijde tot n-zijde in een halfgeleider.
Breedte uitputtingsregio - (Gemeten in Meter) - De breedte van het uitputtingsgebied in een typische Si-diode varieert van een fractie van een micrometer tot tientallen micrometers, afhankelijk van de geometrie van het apparaat, het dopingprofiel en de externe bias.
Effectieve kanaallengte - (Gemeten in Meter) - Effectieve kanaallengte wordt gedefinieerd als het pad dat de ladingsdragers verbindt tussen de afvoer en de bron.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Breedte uitputtingsregio: 11.01 Millimeter --> 0.01101 Meter (Bekijk de conversie hier)
Effectieve kanaallengte: 8 Millimeter --> 0.008 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

L_pn = L_d+L_eff --> 0.01101+0.008

Evalueren ... ...

L_pn = 0.01901

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.01901 Meter -->19.01 Millimeter (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

19.01 Millimeter <-- PN-verbindingslengte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » CMOS-ontwerp en toepassingen » Kenmerken van CMOS-circuits » PN-verbindingslengte

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS

Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)

Permittiviteit van oxidelaag

Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)

Dikte van de oxidelaag

Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit

Breedte van poort:

Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)

Kritisch elektrisch veld

Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen

Zijwand Omtrek van bronverspreiding

Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)

Breedte uitputtingsgebied

Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte

Effectieve kanaallengte

Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio

PN-verbindingslengte

Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte

Overgangsbreedte van CMOS

Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit

Spanning bij minimale EDP

Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)

CMOS kritische spanning

Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad

CMOS betekent vrij pad

Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld

Breedte van bronverspreiding

Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron

Gebied van bronverspreiding

Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

PN-verbindingslengte Formule

PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte
L_pn = L_d+L_eff

Wat is subdrempelgeleiding?

Subdrempelgeleiding of subdrempelwaarde lekkage of subdrempelwaarde afvoerstroom is de stroom tussen de source en drain van een MOSFET wanneer de transistor zich in het subdrempelgebied of zwak-inversiegebied bevindt, dat wil zeggen voor gate-to-source spanningen onder de drempelspanning.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!