Calculadora Longitud de unión PN

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✖El ancho de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa.ⓘ Ancho de la región de agotamiento [L_d]			+10% -10%
✖La longitud efectiva del canal se define como el camino que une los portadores de carga entre el drenaje y la fuente.ⓘ Longitud efectiva del canal [L_eff]			+10% -10%

✖La longitud de la unión PN se define como la longitud total de la unión desde el lado p al lado n en un semiconductor.ⓘ Longitud de unión PN [L_pn]

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Fórmula

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Longitud de unión PN

Fórmula

`"L"_{"pn"} = "L"_{"d"}+"L"_{"eff"}`

Ejemplo

`"19.01mm"="11.01mm"+"8mm"`

Calculadora

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Longitud de unión PN Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal
L_pn = L_d+L_eff
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Longitud de unión PN - (Medido en Metro) - La longitud de la unión PN se define como la longitud total de la unión desde el lado p al lado n en un semiconductor.
Ancho de la región de agotamiento - (Medido en Metro) - El ancho de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa.
Longitud efectiva del canal - (Medido en Metro) - La longitud efectiva del canal se define como el camino que une los portadores de carga entre el drenaje y la fuente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Ancho de la región de agotamiento: 11.01 Milímetro --> 0.01101 Metro (Verifique la conversión aquí)
Longitud efectiva del canal: 8 Milímetro --> 0.008 Metro (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

L_pn = L_d+L_eff --> 0.01101+0.008

Evaluar ... ...

L_pn = 0.01901

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.01901 Metro -->19.01 Milímetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

19.01 Milímetro <-- Longitud de unión PN

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 15 Características del circuito CMOS Calculadoras

Capacitancia efectiva en CMOS

Vamos Capacitancia efectiva en CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector)

Permitividad de la capa de óxido

Vamos Permitividad de la capa de óxido = Espesor de la capa de óxido*Capacitancia de la puerta de entrada/(Ancho de la puerta*Longitud de la puerta)

Espesor de la capa de óxido

Vamos Espesor de la capa de óxido = Permitividad de la capa de óxido*Ancho de la puerta*Longitud de la puerta/Capacitancia de la puerta de entrada

Ancho de la puerta

Vamos Ancho de la puerta = Capacitancia de la puerta de entrada/(Capacitancia de la capa de óxido de puerta*Longitud de la puerta)

Perímetro de la pared lateral de la fuente de difusión

Vamos Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral = (2*Ancho de transición)+(2*Longitud de la fuente)

Ancho de transición de CMOS

Vamos Ancho de transición = Capacitancia de superposición de puerta MOS/Capacitancia de puerta MOS

Ancho de la región de agotamiento

Vamos Ancho de la región de agotamiento = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal

Longitud efectiva del canal

Vamos Longitud efectiva del canal = Longitud de unión PN-Ancho de la región de agotamiento

Longitud de unión PN

Vamos Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal

Campo eléctrico crítico

Vamos Campo eléctrico crítico = (2*Saturación de velocidad)/Movilidad del electrón

Ancho de difusión de la fuente

Vamos Ancho de transición = Área de difusión de fuentes/Longitud de la fuente

Área de difusión de fuentes

Vamos Área de difusión de fuentes = Longitud de la fuente*Ancho de transición

CMOS significa ruta libre

Vamos Camino libre medio = Voltaje crítico en CMOS/Campo eléctrico crítico

Voltaje crítico CMOS

Vamos Voltaje crítico en CMOS = Campo eléctrico crítico*Camino libre medio

Voltaje en EDP Mínimo

Vamos Tensión al mínimo EDP = (3*Voltaje umbral)/(3-Factor de actividad)

Longitud de unión PN Fórmula

Longitud de unión PN = Ancho de la región de agotamiento+Longitud efectiva del canal
L_pn = L_d+L_eff

¿Qué es la conducción subumbral?

La conducción subumbral o la fuga subumbral o la corriente de drenaje subumbral es la corriente entre la fuente y el drenaje de un MOSFET cuando el transistor está en la región subumbral, o región de inversión débil, es decir, para voltajes de puerta a fuente por debajo del voltaje umbral.

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