✖Ширина области обеднения в типичном кремниевом диоде колеблется от долей микрометра до десятков микрометров в зависимости от геометрии устройства, профиля легирования и внешнего смещения.ⓘ Ширина области истощения [Ld] | | | +10% -10% |
✖Эффективная длина канала определяется как путь, соединяющий носители заряда между стоком и истоком.ⓘ Эффективная длина канала [Leff] | | | +10% -10% |