Comprimento da junção PN Calculadora

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✖A largura da região de depleção em um diodo de Si típico varia de uma fração de micrômetro a dezenas de micrômetros, dependendo da geometria do dispositivo, do perfil de dopagem e da polarização externa.ⓘ Largura da região de esgotamento [L_d]			+10% -10%
✖O comprimento efetivo do canal é definido como o caminho que liga os portadores de carga entre o dreno e a fonte.ⓘ Comprimento Efetivo do Canal [L_eff]			+10% -10%

✖O comprimento da junção PN é definido como o comprimento total da junção do lado p ao lado n em um semicondutor.ⓘ Comprimento da junção PN [L_pn]

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Fórmula

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Comprimento da junção PN

Fórmula

`"L"_{"pn"} = "L"_{"d"}+"L"_{"eff"}`

Exemplo

`"19.01mm"="11.01mm"+"8mm"`

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Comprimento da junção PN Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal
L_pn = L_d+L_eff
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Comprimento da junção PN - (Medido em Metro) - O comprimento da junção PN é definido como o comprimento total da junção do lado p ao lado n em um semicondutor.
Largura da região de esgotamento - (Medido em Metro) - A largura da região de depleção em um diodo de Si típico varia de uma fração de micrômetro a dezenas de micrômetros, dependendo da geometria do dispositivo, do perfil de dopagem e da polarização externa.
Comprimento Efetivo do Canal - (Medido em Metro) - O comprimento efetivo do canal é definido como o caminho que liga os portadores de carga entre o dreno e a fonte.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Largura da região de esgotamento: 11.01 Milímetro --> 0.01101 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento Efetivo do Canal: 8 Milímetro --> 0.008 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

L_pn = L_d+L_eff --> 0.01101+0.008

Avaliando ... ...

L_pn = 0.01901

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.01901 Metro -->19.01 Milímetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

19.01 Milímetro <-- Comprimento da junção PN

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS

Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)

Permissividade da Camada de Óxido

Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)

Espessura da Camada de Óxido

Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada

Largura do Portão

Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)

Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral

Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)

Largura de transição do CMOS

Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS

Largura da região de depleção

Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal

Comprimento Efetivo do Canal

Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento

Comprimento da junção PN

Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal

Campo Elétrico Crítico

Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron

CMOS significa caminho livre

Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico

Tensão Crítica CMOS

Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre

Largura da Difusão da Fonte

Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte

Área de Difusão de Fonte

Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição

Tensão no Mínimo EDP

Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Comprimento da junção PN Fórmula

Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal
L_pn = L_d+L_eff

O que é condução subliminar?

Condução subliminar ou vazamento subliminar ou corrente de drenagem subliminar é a corrente entre a fonte e o dreno de um MOSFET quando o transistor está na região subliminar, ou região de inversão fraca, ou seja, para tensões porta-a-fonte abaixo da voltagem limite.

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