Tensione al minimo EDP Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)
Questa formula utilizza 3 Variabili
Variabili utilizzate
Tensione al minimo EDP - (Misurato in Volt) - La tensione al minimo EDP è definita come la tensione minima sperimentata quando il prodotto di ritardo energetico è minimo.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source richiesta per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.
Fattore di attività - Il fattore di attività è definito come la capacità di carico che viene caricata e immagazzina energia durante 3/16 di tutte le transizioni di ingresso. Questa frazione è chiamata fattore di attività o alfa.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Soglia di voltaggio: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Fattore di attività: 1.65 --> Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Vedp = (3*Vt)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)
Valutare ... ...
Vedp = 0.666666666666667
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.666666666666667 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.666666666666667 0.666667 Volt <-- Tensione al minimo EDP
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creato da Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri ha creato questa calcolatrice e altre 900+ altre calcolatrici!
Verificato da Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

15 Caratteristiche del circuito CMOS Calcolatrici

Capacità effettiva in CMOS
Partire Capacità effettiva nel CMOS = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^(Tensione del collettore di base)))/(Cancelli sul percorso critico*[BoltZ]*Tensione del collettore di base)
Permittività dello strato di ossido
Partire Permittività dello strato di ossido = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello)
Spessore dello strato di ossido
Partire Spessore dello strato di ossido = Permittività dello strato di ossido*Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello/Capacità del gate di ingresso
Larghezza del cancello
Partire Larghezza del cancello = Capacità del gate di ingresso/(Capacità dello strato di ossido di gate*Lunghezza del cancello)
Perimetro laterale della diffusione della sorgente
Partire Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente = (2*Larghezza di transizione)+(2*Lunghezza della fonte)
Larghezza della regione di svuotamento
Partire Larghezza della regione di esaurimento = Lunghezza giunzione PN-Lunghezza effettiva del canale
Lunghezza effettiva del canale
Partire Lunghezza effettiva del canale = Lunghezza giunzione PN-Larghezza della regione di esaurimento
Lunghezza giunzione PN
Partire Lunghezza giunzione PN = Larghezza della regione di esaurimento+Lunghezza effettiva del canale
Larghezza di transizione del CMOS
Partire Larghezza di transizione = Capacità di sovrapposizione del gate MOS/Capacità del gate MOS
Larghezza della diffusione della sorgente
Partire Larghezza di transizione = Area di diffusione della sorgente/Lunghezza della fonte
Area di diffusione della sorgente
Partire Area di diffusione della sorgente = Lunghezza della fonte*Larghezza di transizione
Campo elettrico critico
Partire Campo elettrico critico = (2*Saturazione della velocità)/Mobilità dell'elettrone
CMOS percorso libero medio
Partire Percorso libero medio = Tensione critica nel CMOS/Campo elettrico critico
Tensione critica CMOS
Partire Tensione critica nel CMOS = Campo elettrico critico*Percorso libero medio
Tensione al minimo EDP
Partire Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)

Tensione al minimo EDP Formula

Tensione al minimo EDP = (3*Soglia di voltaggio)/(3-Fattore di attività)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)

Qual è l'energia minima con un vincolo di ritardo?

Il consumo energetico del sistema è limitato da considerazioni sulla batteria o sul raffreddamento e il progettista cerca di ottenere un ritardo minimo in base a un vincolo di energia elettrica.

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