Напряжение при минимальной ЭДП Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Напряжение при минимальном EDP - (Измеряется в вольт) - Напряжение при минимальном EDP определяется как минимальное напряжение, которое возникает, когда произведение задержки энергии минимально.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
Фактор активности - Коэффициент активности определяется как емкость нагрузки, которая заряжается и сохраняет энергию в течение 3/16 всех входных переходов. Эта фракция называется фактором активности или альфа.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Пороговое напряжение: 0.3 вольт --> 0.3 вольт Конверсия не требуется
Фактор активности: 1.65 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Vedp = (3*Vt)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)
Оценка ... ...
Vedp = 0.666666666666667
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.666666666666667 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.666666666666667 0.666667 вольт <-- Напряжение при минимальном EDP
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

15 Характеристики схемы КМОП Калькуляторы

Эффективная емкость CMOS
​ Идти Эффективная емкость в КМОП = Рабочий цикл*(Выкл. ток*(10^(Базовое напряжение коллектора)))/(Гейтс на критическом пути*[BoltZ]*Базовое напряжение коллектора)
Проницаемость оксидного слоя
​ Идти Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя = Толщина оксидного слоя*Емкость входного затвора/(Ширина ворот*Длина ворот)
Толщина оксидного слоя
​ Идти Толщина оксидного слоя = Диэлектрическая проницаемость оксидного слоя*Ширина ворот*Длина ворот/Емкость входного затвора
Ширина ворот
​ Идти Ширина ворот = Емкость входного затвора/(Емкость оксидного слоя затвора*Длина ворот)
Критическое напряжение КМОП
​ Идти Критическое напряжение в КМОП = Критическое электрическое поле*Длина свободного пробега
Средний свободный путь CMOS
​ Идти Длина свободного пробега = Критическое напряжение в КМОП/Критическое электрическое поле
Периметр боковой стенки источника диффузии
​ Идти Периметр боковой стенки диффузии источника = (2*Ширина перехода)+(2*Длина источника)
Напряжение при минимальной ЭДП
​ Идти Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)
Критическое электрическое поле
​ Идти Критическое электрическое поле = (2*Насыщение скорости)/Мобильность электрона
Ширина области истощения
​ Идти Ширина области истощения = Длина соединения PN-Эффективная длина канала
Эффективная длина канала
​ Идти Эффективная длина канала = Длина соединения PN-Ширина области истощения
Длина соединения PN
​ Идти Длина соединения PN = Ширина области истощения+Эффективная длина канала
Ширина перехода КМОП
​ Идти Ширина перехода = Емкость перекрытия МОП-затвора/Емкость МОП-ворота
Ширина исходного распространения
​ Идти Ширина перехода = Область диффузии источника/Длина источника
Область диффузии источника
​ Идти Область диффузии источника = Длина источника*Ширина перехода

Напряжение при минимальной ЭДП формула

Напряжение при минимальном EDP = (3*Пороговое напряжение)/(3-Фактор активности)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)

Какова минимальная энергия при ограничении задержки?

Энергопотребление системы ограничено соображениями батареи или охлаждения, и разработчик стремится достичь минимальной задержки при ограничении энергии.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!