Spannung bei minimaler EDV Taschenrechner

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✖Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.ⓘ Grenzspannung [V_t]			+10% -10%
✖Der Aktivitätsfaktor ist definiert als die Lastkapazität, die während 3/16 aller Eingangsübergänge geladen wird und Energie speichert. Dieser Anteil wird Aktivitätsfaktor oder Alpha genannt.ⓘ Aktivitätsfaktor [α]			+10% -10%

✖Die Spannung bei minimalem EDP ist definiert als die minimale Spannung, die auftritt, wenn das Energieverzögerungsprodukt minimal ist.ⓘ Spannung bei minimaler EDV [V_edp]

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Formel

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Spannung bei minimaler EDV

Formel

`"V"_{"edp"} = (3*"V"_{"t"})/(3-"α")`

Beispiel

`"0.666667V"=(3*"0.3V")/(3-"1.65")`

Taschenrechner

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Spannung bei minimaler EDV Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Spannung bei minimaler EDP = (3*Grenzspannung)/(3-Aktivitätsfaktor)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Spannung bei minimaler EDP - (Gemessen in Volt) - Die Spannung bei minimalem EDP ist definiert als die minimale Spannung, die auftritt, wenn das Energieverzögerungsprodukt minimal ist.
Grenzspannung - (Gemessen in Volt) - Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.
Aktivitätsfaktor - Der Aktivitätsfaktor ist definiert als die Lastkapazität, die während 3/16 aller Eingangsübergänge geladen wird und Energie speichert. Dieser Anteil wird Aktivitätsfaktor oder Alpha genannt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Grenzspannung: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Aktivitätsfaktor: 1.65 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_edp = (3*V_t)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)

Auswerten ... ...

V_edp = 0.666666666666667

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.666666666666667 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.666666666666667 ≈ 0.666667 Volt <-- Spannung bei minimaler EDP

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Effektive Kapazität im CMOS

Gehen Effektive Kapazität im CMOS = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^(Basiskollektorspannung)))/(Gates auf kritischem Weg*[BoltZ]*Basiskollektorspannung)

Permittivität der Oxidschicht

Gehen Permittivität der Oxidschicht = Dicke der Oxidschicht*Eingangs-Gate-Kapazität/(Torbreite*Länge des Tors)

Dicke der Oxidschicht

Gehen Dicke der Oxidschicht = Permittivität der Oxidschicht*Torbreite*Länge des Tors/Eingangs-Gate-Kapazität

Breite des Tors

Gehen Torbreite = Eingangs-Gate-Kapazität/(Kapazität der Gate-Oxidschicht*Länge des Tors)

Kritisches elektrisches Feld

Gehen Kritisches elektrisches Feld = (2*Geschwindigkeitssättigung)/Mobilität des Elektrons

Seitenwandumfang der Quelldiffusion

Gehen Seitenwandumfang der Quellendiffusion = (2*Übergangsbreite)+(2*Länge der Quelle)

CMOS mittlerer freier Pfad

Gehen Mittlerer freier Pfad = Kritische Spannung im CMOS/Kritisches elektrisches Feld

Kritische CMOS-Spannung

Gehen Kritische Spannung im CMOS = Kritisches elektrisches Feld*Mittlerer freier Pfad

Breite des Verarmungsbereichs

Gehen Breite der Verarmungsregion = PN-Verbindungslänge-Effektive Kanallänge

Effektive Kanallänge

Gehen Effektive Kanallänge = PN-Verbindungslänge-Breite der Verarmungsregion

PN-Verbindungslänge

Gehen PN-Verbindungslänge = Breite der Verarmungsregion+Effektive Kanallänge

Spannung bei minimaler EDV

Gehen Spannung bei minimaler EDP = (3*Grenzspannung)/(3-Aktivitätsfaktor)

Übergangsbreite des CMOS

Gehen Übergangsbreite = MOS-Gate-Überlappungskapazität/MOS-Gate-Kapazität

Bereich der Quellendiffusion

Gehen Bereich der Quellendiffusion = Länge der Quelle*Übergangsbreite

Breite der Quellendiffusion

Gehen Übergangsbreite = Bereich der Quellendiffusion/Länge der Quelle

Spannung bei minimaler EDV Formel

Spannung bei minimaler EDP = (3*Grenzspannung)/(3-Aktivitätsfaktor)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)

Was ist minimale Energie unter einer Verzögerungsbeschränkung?

Der Stromverbrauch des Systems wird durch Überlegungen zu Batterie oder Kühlung begrenzt, und der Entwickler versucht, eine minimale Verzögerung unter einer Energieeinschränkung zu erreichen.

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