Tensão no Mínimo EDP Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Tensão no EDP Mínimo - (Medido em Volt) - A Tensão no EDP Mínimo é definida como a tensão mínima experimentada quando o Produto de Atraso de Energia é mínimo.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Fator de atividade - O fator de atividade é definido como a capacitância de carga que é carregada e armazena energia durante 3/16 de todas as transições de entrada. Essa fração é chamada de fator de atividade ou alfa.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Tensão de limiar: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Nenhuma conversão necessária
Fator de atividade: 1.65 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Vedp = (3*Vt)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)
Avaliando ... ...
Vedp = 0.666666666666667
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.666666666666667 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.666666666666667 0.666667 Volt <-- Tensão no EDP Mínimo
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

15 Características do circuito CMOS Calculadoras

Capacitância efetiva em CMOS
Vai Capacitância Efetiva em CMOS = Ciclo de trabalho*(Desatualizado*(10^(Tensão do Coletor Base)))/(Portões no Caminho Crítico*[BoltZ]*Tensão do Coletor Base)
Permissividade da Camada de Óxido
Vai Permissividade da camada de óxido = Espessura da Camada de Óxido*Capacitância da porta de entrada/(Largura do portão*Comprimento do portão)
Espessura da Camada de Óxido
Vai Espessura da Camada de Óxido = Permissividade da camada de óxido*Largura do portão*Comprimento do portão/Capacitância da porta de entrada
Largura do Portão
Vai Largura do portão = Capacitância da porta de entrada/(Capacitância da camada de óxido de porta*Comprimento do portão)
Perímetro de Difusão de Fonte de Parede Lateral
Vai Perímetro da parede lateral de difusão da fonte = (2*Largura da transição)+(2*Comprimento da Fonte)
Largura de transição do CMOS
Vai Largura da transição = Capacitância de sobreposição de porta MOS/Capacitância da Porta MOS
Largura da região de depleção
Vai Largura da região de esgotamento = Comprimento da junção PN-Comprimento Efetivo do Canal
Comprimento Efetivo do Canal
Vai Comprimento Efetivo do Canal = Comprimento da junção PN-Largura da região de esgotamento
Comprimento da junção PN
Vai Comprimento da junção PN = Largura da região de esgotamento+Comprimento Efetivo do Canal
Campo Elétrico Crítico
Vai Campo Elétrico Crítico = (2*Saturação de velocidade)/Mobilidade do Elétron
CMOS significa caminho livre
Vai Significa caminho livre = Tensão Crítica em CMOS/Campo Elétrico Crítico
Tensão Crítica CMOS
Vai Tensão Crítica em CMOS = Campo Elétrico Crítico*Significa caminho livre
Largura da Difusão da Fonte
Vai Largura da transição = Área de Difusão de Fonte/Comprimento da Fonte
Área de Difusão de Fonte
Vai Área de Difusão de Fonte = Comprimento da Fonte*Largura da transição
Tensão no Mínimo EDP
Vai Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)

Tensão no Mínimo EDP Fórmula

Tensão no EDP Mínimo = (3*Tensão de limiar)/(3-Fator de atividade)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)

O que é energia mínima sob uma restrição de atraso?

O consumo de energia do sistema é limitado por considerações de bateria ou resfriamento e o projetista busca obter um atraso mínimo sob uma restrição de energia de energia.

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