Spanning bij minimale EDP Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen
Variabelen gebruikt
Spanning bij minimale EDP - (Gemeten in Volt) - De spanning bij minimale EDP wordt gedefinieerd als de minimale spanning die wordt ervaren wanneer het Energy Delay Product minimaal is.
Drempelspanning - (Gemeten in Volt) - De drempelspanning van de transistor is de minimale poort-naar-bronspanning die nodig is om een geleidend pad tussen de source- en drain-terminals te creëren.
Activiteitsfactor - De activiteitsfactor wordt gedefinieerd als de belastingscapaciteit die wordt opgeladen en energie opslaat tijdens 3/16 van alle ingangsovergangen. Deze fractie wordt de activiteitsfactor of alfa genoemd.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Drempelspanning: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Geen conversie vereist
Activiteitsfactor: 1.65 --> Geen conversie vereist
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Vedp = (3*Vt)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)
Evalueren ... ...
Vedp = 0.666666666666667
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.666666666666667 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.666666666666667 0.666667 Volt <-- Spanning bij minimale EDP
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Credits

Gemaakt door Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 900+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

15 Kenmerken van CMOS-circuits Rekenmachines

Effectieve capaciteit in CMOS
Gaan Effectieve capaciteit in CMOS = Arbeidscyclus*(Uit huidige*(10^(Basiscollectorspanning)))/(Poorten op kritiek pad*[BoltZ]*Basiscollectorspanning)
Permittiviteit van oxidelaag
Gaan Permittiviteit van de oxidelaag = Dikte van de oxidelaag*Ingangspoortcapaciteit/(Poortbreedte*Lengte van de poort)
Dikte van de oxidelaag
Gaan Dikte van de oxidelaag = Permittiviteit van de oxidelaag*Poortbreedte*Lengte van de poort/Ingangspoortcapaciteit
Breedte van poort:
Gaan Poortbreedte = Ingangspoortcapaciteit/(Capaciteit van Gate Oxide Layer*Lengte van de poort)
Zijwand Omtrek van bronverspreiding
Gaan Zijwandomtrek van brondiffusie = (2*Overgangsbreedte)+(2*Lengte van de bron)
Kritisch elektrisch veld
Gaan Kritisch elektrisch veld = (2*Snelheidsverzadiging)/Mobiliteit van elektronen
Breedte uitputtingsgebied
Gaan Breedte uitputtingsregio = PN-verbindingslengte-Effectieve kanaallengte
Effectieve kanaallengte
Gaan Effectieve kanaallengte = PN-verbindingslengte-Breedte uitputtingsregio
CMOS betekent vrij pad
Gaan Bedoel vrij pad = Kritische spanning in CMOS/Kritisch elektrisch veld
PN-verbindingslengte
Gaan PN-verbindingslengte = Breedte uitputtingsregio+Effectieve kanaallengte
Overgangsbreedte van CMOS
Gaan Overgangsbreedte = MOS-poortoverlappingscapaciteit/MOS-poortcapaciteit
Spanning bij minimale EDP
Gaan Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)
CMOS kritische spanning
Gaan Kritische spanning in CMOS = Kritisch elektrisch veld*Bedoel vrij pad
Breedte van bronverspreiding
Gaan Overgangsbreedte = Gebied van bronverspreiding/Lengte van de bron
Gebied van bronverspreiding
Gaan Gebied van bronverspreiding = Lengte van de bron*Overgangsbreedte

Spanning bij minimale EDP Formule

Spanning bij minimale EDP = (3*Drempelspanning)/(3-Activiteitsfactor)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)

Wat is minimale energie onder een vertragingsbeperking?

Het stroomverbruik van het systeem wordt beperkt door overwegingen met betrekking tot de batterij of de koeling en de ontwerper streeft naar minimale vertraging onder een beperking van het energieverbruik.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!