Tension au minimum EDP Calculatrice

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Sous-système de chemin de données de tableau

✖La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.ⓘ Tension de seuil [V_t]			+10% -10%
✖Le facteur d'activité est défini comme la capacité de charge qui est chargée et stocke l'énergie pendant 3/16 de toutes les transitions d'entrée. Cette fraction est appelée facteur d’activité ou alpha.ⓘ Facteur d'activité [α]			+10% -10%

✖La tension à l'EDP minimum est définie comme la tension minimale ressentie lorsque le produit de retard énergétique est minimum.ⓘ Tension au minimum EDP [V_edp]

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Formule

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Tension au minimum EDP

Formule

`"V"_{"edp"} = (3*"V"_{"t"})/(3-"α")`

Exemple

`"0.666667V"=(3*"0.3V")/(3-"1.65")`

Calculatrice

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Tension au minimum EDP Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Tension à l'EDP minimum - (Mesuré en Volt) - La tension à l'EDP minimum est définie comme la tension minimale ressentie lorsque le produit de retard énergétique est minimum.
Tension de seuil - (Mesuré en Volt) - La tension de seuil du transistor est la tension grille-source minimale requise pour créer un chemin conducteur entre les bornes source et drain.
Facteur d'activité - Le facteur d'activité est défini comme la capacité de charge qui est chargée et stocke l'énergie pendant 3/16 de toutes les transitions d'entrée. Cette fraction est appelée facteur d’activité ou alpha.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de seuil: 0.3 Volt --> 0.3 Volt Aucune conversion requise
Facteur d'activité: 1.65 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_edp = (3*V_t)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)

Évaluer ... ...

V_edp = 0.666666666666667

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.666666666666667 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.666666666666667 ≈ 0.666667 Volt <-- Tension à l'EDP minimum

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » Conception et applications CMOS » Caractéristiques des circuits CMOS » Tension au minimum EDP

Crédits

Créé par Shobhit Dimri

Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 15 Caractéristiques des circuits CMOS Calculatrices

Capacité effective en CMOS

Aller Capacité effective en CMOS = Cycle de service*(Hors courant*(10^(Tension du collecteur de base)))/(Portes sur le chemin critique*[BoltZ]*Tension du collecteur de base)

Permittivité de la couche d'oxyde

Aller Permittivité de la couche d'oxyde = Épaisseur de la couche d'oxyde*Capacité de la porte d'entrée/(Largeur du portail*Longueur de la porte)

Épaisseur de la couche d'oxyde

Aller Épaisseur de la couche d'oxyde = Permittivité de la couche d'oxyde*Largeur du portail*Longueur de la porte/Capacité de la porte d'entrée

Largeur de la porte

Aller Largeur du portail = Capacité de la porte d'entrée/(Capacité de la couche d'oxyde de grille*Longueur de la porte)

Périmètre de la paroi latérale de diffusion de la source

Aller Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source = (2*Largeur de transition)+(2*Longueur de la source)

Largeur de la région d'appauvrissement

Aller Largeur de la région d'épuisement = Longueur de jonction PN-Longueur effective du canal

Largeur de transition du CMOS

Aller Largeur de transition = Capacité de chevauchement de porte MOS/Capacité de la porte MOS

Longueur effective du canal

Aller Longueur effective du canal = Longueur de jonction PN-Largeur de la région d'épuisement

Longueur de jonction PN

Aller Longueur de jonction PN = Largeur de la région d'épuisement+Longueur effective du canal

Champ électrique critique

Aller Champ électrique critique = (2*Saturation de la vitesse)/Mobilité de l'électron

Largeur de diffusion de la source

Aller Largeur de transition = Zone de diffusion de la source/Longueur de la source

Zone de diffusion de la source

Aller Zone de diffusion de la source = Longueur de la source*Largeur de transition

CMOS Moyenne Parcours Libre

Aller Libre parcours moyen = Tension critique dans CMOS/Champ électrique critique

Tension critique CMOS

Aller Tension critique dans CMOS = Champ électrique critique*Libre parcours moyen

Tension au minimum EDP

Aller Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)

Tension au minimum EDP Formule

Tension à l'EDP minimum = (3*Tension de seuil)/(3-Facteur d'activité)
V_edp = (3*V_t)/(3-α)

Quelle est l'énergie minimale sous une contrainte de retard ?

La consommation électrique du système est limitée par des considérations de batterie ou de refroidissement et le concepteur cherche à obtenir un délai minimum sous une contrainte d'énergie électrique.

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