इलेक्ट्रॉनचा प्रसार गुणांक उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
इलेक्ट्रॉन प्रसार गुणांक = इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता*[BoltZ]*परिपूर्ण तापमान/[Charge-e]
DE = μe*[BoltZ]*T/[Charge-e]
हे सूत्र 2 स्थिर, 3 व्हेरिएबल्स वापरते
सतत वापरलेले
[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19
[BoltZ] - बोल्ट्झमन स्थिर मूल्य घेतले म्हणून 1.38064852E-23
व्हेरिएबल्स वापरलेले
इलेक्ट्रॉन प्रसार गुणांक - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन डिफ्यूजन गुणांक हे क्रिस्टल जाळीद्वारे इलेक्ट्रॉन गती सुलभतेचे मोजमाप आहे. हे या प्रकरणात वाहक, इलेक्ट्रॉनच्या गतिशीलतेशी संबंधित आहे.
इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता प्रति युनिट इलेक्ट्रिक फील्ड इलेक्ट्रॉनचा प्रवाह वेग म्हणून परिभाषित केली जाते.
परिपूर्ण तापमान - (मध्ये मोजली केल्विन) - परिपूर्ण तापमान प्रणालीचे तापमान दर्शवते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता: 1000 चौरस सेंटीमीटर प्रति व्होल्ट सेकंद --> 0.1 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा ​येथे)
परिपूर्ण तापमान: 393 केल्विन --> 393 केल्विन कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
DE = μe*[BoltZ]*T/[Charge-e] --> 0.1*[BoltZ]*393/[Charge-e]
मूल्यांकन करत आहे ... ...
DE = 0.00338661082421737
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.00338661082421737 स्क्वेअर मीटर प्रति सेकंद --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.00338661082421737 0.003387 स्क्वेअर मीटर प्रति सेकंद <-- इलेक्ट्रॉन प्रसार गुणांक
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
नॅशनल इन्स्टिट्यूट ऑफ इंजिनिअरिंग (NIE), म्हैसूर
प्रियांका जी चाळीकर यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

14 ऑप्टिकल घटकांसह उपकरणे कॅल्क्युलेटर

पीएन जंक्शन कॅपेसिटन्स
​ जा जंक्शन कॅपेसिटन्स = पीएन जंक्शन क्षेत्र/2*sqrt((2*[Charge-e]*सापेक्ष परवानगी*[Permitivity-silicon])/(PN जंक्शन ओलांडून व्होल्टेज-(रिव्हर्स बायस व्होल्टेज))*((स्वीकारणारा एकाग्रता*दात्याची एकाग्रता)/(स्वीकारणारा एकाग्रता+दात्याची एकाग्रता)))
असंतुलित स्थितीत इलेक्ट्रॉन एकाग्रता
​ जा इलेक्ट्रॉन एकाग्रता = आंतरिक इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*exp((इलेक्ट्रॉन्सची अर्ध फर्मी पातळी-सेमीकंडक्टरची आंतरिक ऊर्जा पातळी)/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))
संक्रमण प्रदेशाची प्रसार लांबी
​ जा संक्रमण प्रदेशाची प्रसार लांबी = ऑप्टिकल करंट/(चार्ज करा*पीएन जंक्शन क्षेत्र*ऑप्टिकल जनरेशन दर)-(संक्रमण रुंदी+पी-साइड जंक्शनची लांबी)
ऑप्टिकली जनरेट केलेल्या कॅरियरमुळे वर्तमान
​ जा ऑप्टिकल करंट = चार्ज करा*पीएन जंक्शन क्षेत्र*ऑप्टिकल जनरेशन दर*(संक्रमण रुंदी+संक्रमण प्रदेशाची प्रसार लांबी+पी-साइड जंक्शनची लांबी)
पीक मंदता
​ जा पीक मंदता = (2*pi)/प्रकाशाची तरंगलांबी*फायबरची लांबी*अपवर्तक सूचकांक^3*मॉड्यूलेशन व्होल्टेज
कंपाऊंड लेन्सचा कमाल स्वीकृती कोन
​ जा स्वीकृती कोण = asin(मध्यम 1 चे अपवर्तक निर्देशांक*लेन्सची त्रिज्या*sqrt(सकारात्मक स्थिरांक))
कंडक्शन बँडमधील राज्यांची प्रभावी घनता
​ जा राज्यांची प्रभावी घनता = 2*(2*pi*इलेक्ट्रॉनचे प्रभावी वस्तुमान*[BoltZ]*परिपूर्ण तापमान/[hP]^2)^(3/2)
इलेक्ट्रॉनचा प्रसार गुणांक
​ जा इलेक्ट्रॉन प्रसार गुणांक = इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता*[BoltZ]*परिपूर्ण तापमान/[Charge-e]
उत्तेजना ऊर्जा
​ जा उत्तेजना ऊर्जा = 1.6*10^-19*13.6*(इलेक्ट्रॉनचे प्रभावी वस्तुमान/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Brewsters कोन
​ जा ब्रूस्टरचा कोन = arctan(मध्यम 1 चे अपवर्तक निर्देशांक/अपवर्तक सूचकांक)
फ्रेस्नेल-किर्चॉफ फॉर्म्युला वापरून विवर्तन
​ जा विवर्तन कोन = asin(1.22*दृश्यमान प्रकाशाची तरंगलांबी/छिद्राचा व्यास)
सर्वोच्च कोन दिलेले फ्रिंज अंतर
​ जा फ्रिंज स्पेस = दृश्यमान प्रकाशाची तरंगलांबी/(2*tan(हस्तक्षेप कोन))
ध्रुवीकरणाच्या प्लेनच्या रोटेशनचा कोन
​ जा रोटेशनचा कोन = 1.8*चुंबकीय प्रवाह घनता*मध्यम लांबी
अ‍ॅपेक्स एंगल
​ जा शिखर कोण = tan(अल्फा)

इलेक्ट्रॉनचा प्रसार गुणांक सुत्र

इलेक्ट्रॉन प्रसार गुणांक = इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता*[BoltZ]*परिपूर्ण तापमान/[Charge-e]
DE = μe*[BoltZ]*T/[Charge-e]
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!