गेट डायलेक्ट्रिकद्वारे गेट लीकेज कॅल्क्युलेटर

✖CMOS स्टॅटिक पॉवरची व्याख्या CMOS उपकरणांमध्ये अत्यंत कमी स्टॅटिक पॉवर वापरामुळे गळती करंट म्हणून केली जाते.ⓘ CMOS स्टॅटिक पॉवर [P_st]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टर बायसिंगमध्ये बेस कलेक्टर व्होल्टेज हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे. हे ट्रान्झिस्टरच्या सक्रिय स्थितीत असताना बेस आणि कलेक्टर टर्मिनल्समधील व्होल्टेजच्या फरकाचा संदर्भ देते.ⓘ बेस कलेक्टर व्होल्टेज [V_bc]			+10% -10%
✖सबथ्रेशोल्ड करंट म्हणजे OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड गळती.ⓘ सबथ्रेशोल्ड वर्तमान [i_st]			+10% -10%
✖कंटेंशन करंट हे गुणोत्तर सर्किट्समध्ये उद्भवणारे कंटेंशन करंट म्हणून परिभाषित केले जाते.ⓘ वाद चालू [i_con]			+10% -10%
✖जंक्शन करंट म्हणजे स्त्रोत/ड्रेन डिफ्यूजनमधून जंक्शन लीकेज.ⓘ जंक्शन चालू [i_j]			+10% -10%

✖गेट करंटची व्याख्या जेव्हा गेट आणि स्त्रोत टर्मिनल्समध्ये व्होल्टेज नसते, गळती करंट वगळता नाल्यात कोणताही प्रवाह येत नाही, कारण खूप जास्त ड्रेन-स्रोत प्रतिबाधा असते.ⓘ गेट डायलेक्ट्रिकद्वारे गेट लीकेज [i_g]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

गेट डायलेक्ट्रिकद्वारे गेट लीकेज

सुत्र

`"i"_{"g"} = ("P"_{"st"}/"V"_{"bc"})-("i"_{"st"}+"i"_{"con"}+"i"_{"j"})`

उदाहरण

`"4.501485mA"=("67.37mW"/"2.02V")-("1.6mA"+"25.75mA"+"1.5mA")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा CMOS पॉवर मेट्रिक्स सूत्रे PDF PDF Image

गेट डायलेक्ट्रिकद्वारे गेट लीकेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

गेट करंट = (CMOS स्टॅटिक पॉवर/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(सबथ्रेशोल्ड वर्तमान+वाद चालू+जंक्शन चालू)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)
हे सूत्र 6 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

गेट करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - गेट करंटची व्याख्या जेव्हा गेट आणि स्त्रोत टर्मिनल्समध्ये व्होल्टेज नसते, गळती करंट वगळता नाल्यात कोणताही प्रवाह येत नाही, कारण खूप जास्त ड्रेन-स्रोत प्रतिबाधा असते.
CMOS स्टॅटिक पॉवर - (मध्ये मोजली वॅट) - CMOS स्टॅटिक पॉवरची व्याख्या CMOS उपकरणांमध्ये अत्यंत कमी स्टॅटिक पॉवर वापरामुळे गळती करंट म्हणून केली जाते.
बेस कलेक्टर व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टर बायसिंगमध्ये बेस कलेक्टर व्होल्टेज हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे. हे ट्रान्झिस्टरच्या सक्रिय स्थितीत असताना बेस आणि कलेक्टर टर्मिनल्समधील व्होल्टेजच्या फरकाचा संदर्भ देते.
सबथ्रेशोल्ड वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - सबथ्रेशोल्ड करंट म्हणजे OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड गळती.
वाद चालू - (मध्ये मोजली अँपिअर) - कंटेंशन करंट हे गुणोत्तर सर्किट्समध्ये उद्भवणारे कंटेंशन करंट म्हणून परिभाषित केले जाते.
जंक्शन चालू - (मध्ये मोजली अँपिअर) - जंक्शन करंट म्हणजे स्त्रोत/ड्रेन डिफ्यूजनमधून जंक्शन लीकेज.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

CMOS स्टॅटिक पॉवर: 67.37 मिलीवॅट --> 0.06737 वॅट (रूपांतरण तपासा येथे)
बेस कलेक्टर व्होल्टेज: 2.02 व्होल्ट --> 2.02 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
सबथ्रेशोल्ड वर्तमान: 1.6 मिलीअँपिअर --> 0.0016 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)
वाद चालू: 25.75 मिलीअँपिअर --> 0.02575 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)
जंक्शन चालू: 1.5 मिलीअँपिअर --> 0.0015 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j) --> (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

i_g = 0.00450148514851485

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.00450148514851485 अँपिअर -->4.50148514851485 मिलीअँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

4.50148514851485 ≈ 4.501485 मिलीअँपिअर <-- गेट करंट

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » CMOS डिझाइन आणि अनुप्रयोग » CMOS पॉवर मेट्रिक्स » गेट डायलेक्ट्रिकद्वारे गेट लीकेज

जमा

ने निर्मित शोभित दिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट

शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 17 CMOS पॉवर मेट्रिक्स कॅल्क्युलेटर

गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ

जा गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^बेस कलेक्टर व्होल्टेज))/(गेट टू चॅनेलची क्षमता*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)

OFF ट्रान्झिस्टरद्वारे सबथ्रेशोल्ड लीकेज

जा सबथ्रेशोल्ड वर्तमान = (CMOS स्टॅटिक पॉवर/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(गेट करंट+वाद चालू+जंक्शन चालू)

गुणोत्तर सर्किट्समधील विवाद वर्तमान

जा वाद चालू = (CMOS स्टॅटिक पॉवर/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(सबथ्रेशोल्ड वर्तमान+गेट करंट+जंक्शन चालू)

गेट डायलेक्ट्रिकद्वारे गेट लीकेज

जा गेट करंट = (CMOS स्टॅटिक पॉवर/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(सबथ्रेशोल्ड वर्तमान+वाद चालू+जंक्शन चालू)

लोड पॉवर वापरावर आउटपुट स्विचिंग

जा आउटपुट स्विचिंग = कॅपेसिटिव्ह लोड पॉवर वापर/(बाह्य लोड क्षमता*पुरवठा व्होल्टेज^2*आउटपुट सिग्नल वारंवारता)

कॅपेसिटिव्ह लोड पॉवर वापर

जा कॅपेसिटिव्ह लोड पॉवर वापर = बाह्य लोड क्षमता*पुरवठा व्होल्टेज^2*आउटपुट सिग्नल वारंवारता*आउटपुट स्विचिंग

क्रियाकलाप घटक

जा क्रियाकलाप घटक = स्विचिंग पॉवर/(क्षमता*बेस कलेक्टर व्होल्टेज^2*वारंवारता)

स्विचिंग पॉवर

जा स्विचिंग पॉवर = क्रियाकलाप घटक*(क्षमता*बेस कलेक्टर व्होल्टेज^2*वारंवारता)

वीज पुरवठा नकार प्रमाण

जा वीज पुरवठा नकार प्रमाण = 20*log10(इनपुट व्होल्टेज रिपल/आउटपुट व्होल्टेज रिपल)

CMOS मध्ये पॉवर स्विच करणे

जा स्विचिंग पॉवर = (सकारात्मक व्होल्टेज^2)*वारंवारता*क्षमता

सीएमओएसमध्ये ऊर्जा स्विच करीत आहे

जा CMOS मध्ये ऊर्जा स्विच करणे = CMOS मध्ये एकूण ऊर्जा-CMOS मध्ये गळती ऊर्जा

सीएमओएस मधील एकूण उर्जा

जा CMOS मध्ये एकूण ऊर्जा = CMOS मध्ये ऊर्जा स्विच करणे+CMOS मध्ये गळती ऊर्जा

सीएमओएसमध्ये गळती उर्जा

जा CMOS मध्ये गळती ऊर्जा = CMOS मध्ये एकूण ऊर्जा-CMOS मध्ये ऊर्जा स्विच करणे

CMOS मध्ये शॉर्ट-सर्किट पॉवर

जा शॉर्ट-सर्किट पॉवर = डायनॅमिक पॉवर-स्विचिंग पॉवर

CMOS मध्ये डायनॅमिक पॉवर

जा डायनॅमिक पॉवर = शॉर्ट-सर्किट पॉवर+स्विचिंग पॉवर

CMOS मध्ये स्थिर शक्ती

जा CMOS स्टॅटिक पॉवर = एकूण शक्ती-डायनॅमिक पॉवर

CMOS मध्ये एकूण पॉवर

जा एकूण शक्ती = CMOS स्टॅटिक पॉवर+डायनॅमिक पॉवर

गेट डायलेक्ट्रिकद्वारे गेट लीकेज सुत्र

गेट करंट = (CMOS स्टॅटिक पॉवर/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(सबथ्रेशोल्ड वर्तमान+वाद चालू+जंक्शन चालू)
i_g = (P_st/V_bc)-(i_st+i_con+i_j)

मॉस्फेट हे वर्तमान-नियंत्रण डिव्हाइस आहे?

एमओएसएफईटी, एफईटी प्रमाणेच, व्होल्टेज नियंत्रित डिव्हाइस आहे. गेटवरील व्होल्टेज इनपुट स्त्रोतापासून वाहून जाण्यासाठीच्या प्रवाह नियंत्रित करते. गेट सतत प्रवाह काढत नाही.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!